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中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会论文集
高压铂扩散快恢复二极管的研究
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孙树梅 曾祥斌 袁德成 梁湛深 肖敏
1) 华中科技大学电子科学与技术系,武汉 430074 2) 上海美高森美半导体有限公司,上海 210018
1) Email :smsun@
摘 要 本文对高压快恢复二极管的结构设计和制造工艺进行了深入分析,确定了合理的结构参数和先进的工艺流程。
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选用合适的电阻率和厚度的 N 型直拉硅单晶片,采用磷硼纸源扩散,精确控制基区宽度形成 P NN 结构;采用铂液态源扩散
降低少数载流子寿命τ从而缩短反向恢复时间 t ;化学腐蚀形成台面提高反向击穿电压;玻璃钝化保护PN结减小表面污染
rr
从而降低表面漏电流提高耐压;双面镀镍金进行金属化等技术。得到较为理想的反向击穿电压 V ,正向压降 V ,反向恢复
BR F
时间 t 三参数之间的折衷。器件性能优良,可靠性高,样品通过150°C/ 168小时的高温反偏实验。
rr
+ +
关键词 铂扩散, P NN 结构, 反向恢复时间Trr
Study of High Voltage Pt Diffused Diode
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SUN Shu-mei , ZENG Xiang-bin , YUAN De-cheng , XIAO min
1) Department of Electronic science and technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074,
China; 2)Microsemi Semiconductor Shanghai, Shanghai, 210018, China)
1) Email :smsun@
Abstract: This article analyzed the device structure and manufacture process of high voltage fast recovery diode.
Reasonable structure and advanced process were settled by a series of experiments. The N type CZ wafers were chosen as the
main material. Boron and phosphor paper dopant were used fo
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