中兴集成电路笔试题_Analog and RF.doc

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中兴集成电路笔试题_Analog and RF

1.NMOS管的sub是__掺杂,接__电平,基极电压绝对值越大,Vgs越__。 A:sub是P型掺杂,接地,Vgs越大,这是什么,狗屁不通 2.温度升高,Vth__,饱和区的mos管电流__,关断的mos管电流__。 可见Gray书:1.5.4 “Threshold Temperature Dependence” 通常取 -0.5 mV/℃ to -4mV/℃ 3.反相器的N、P管在输入从零到VDD变化时各工作在什么状态。 4.说说判断电路好坏的几个重要方面。(这题摸不着头脑哪,他想问啥?) 5.什么是天线效应,应该怎么避免? a. 天线效应简单说就是 你无意识的一根走线,等于某个波长,形成了天线。 b. 在射频布局\布线不合理,电磁兼容性不好,引起辐射,天线效应 c. 天线效应还有另一个说法,是指加工芯片过程中,等离子和电极接触造成MOS击穿。解决方法,等离子刻蚀的时候不要暴露金属层就可以了啊 6.若基准电压源上有纹波,怎么用比较简单的方法消除? a. 简单的方法就是加个滤波电容 or 磁珠 b. 供电可以,但是作基准的电源,一定要用共模抑制消除纹波? c. 电压型锁相环的基准纹波一般都用运放抵消? 7.画出一个简单运放,列出其主要的性能指标。 放大倍数、输出摆幅、CMRR、PSRR…? 8.画出一个PLL的机构图,列出其性能指标,并指出这些指标间的相互关系。 9.在射频当中,什么叫“长线”,什么叫“短线”? 长线一般指电长度大于波长/2的线,短线一般指小于波长/8 10.Noise的种类及产生原理,写出噪声系数的定义表达式。 注:级联的NF,Friis公式,见“射频微电子学 NoFig.pdf”P39

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