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期中复习 第一章半导体元件及其特性 重点是掌握半导体二极管、晶体管和场效应管的外部特性和主要参数 1.纯净的半导体称为本征半导体，本征半导体中有 两种载流子导电，且其导电性与温度有关。 2.在本征半导体中掺入杂质，形成杂质半导体，有N 型和P型，其导电性和掺杂浓度有关。 3.将N型半导体和P型半导体制作在一起形成PN结， PN结具有单向导电性。 4.二极管由一个PN结封装而成，伏安特性（死区电压、导通电压）及主要参数（IFM 、URM ）。 第二章基本放大电路 本章是课程的重点，对于初学者也是难点。本章所讲述的基本概念、基本电路和基本分析方法是学习后面各章节的基础。 本章的重点是放大的概念、放大电路的主要指标参数、基本放大电路和放大电路的分析方法。共射、共集、共基放大电路的组成、工作原理、静态和动态分析。多级放大电路的耦合方式及其特点。 第三章负反馈电路与集成运算电路 本章的重点是反馈的概念、反馈性质的判断方法、深度负反馈条件下放大倍数的估算方法、负反馈对放大电路性能的改善。 通用型集成运放的四个组成部分及其作用；差分放大电路工作原理和静态工作点、差模放大倍数、共模放大倍数、共模抑制比；集成运放器的应用。 第四章功率放大器及应用 本章重点是讲述功率放大电路的组成原则，各种功放的电路特点和优缺点，OTL、OCL电路组成、工作原理、输出功率和效率的估算及晶体管的选择。 1、功率放大电路与一般放大电路（电压放大电路）在输入信号大小、管子的选取原则、分析方法等方面有什么不同，对功放电路的基本要求是什么。 2、什么是晶体管的甲类、乙类和甲乙类工作状态。 3.OTL、OCL电路组成、工作原理、最大输出功率和效率的估算及晶体管的选择。 第五章振荡器 本章的重点是正弦波振荡的条件、正弦波振荡电路的组成及电路产生正弦波振荡可能性的判断方法，RC、LC、石英晶体频率正弦波振荡电路的组成和影响振荡频率的因素。 1． 正弦波振荡的条件和电路的组成，放大电路、选频网络、正反馈网络和稳幅环节在正弦波振荡电路中所起的作用。 2． RC、LC、石英晶体正弦波振荡电路振荡频率的范围及应用场合。 3． 判断电路是否可能产生正弦波振荡的方法。 第六章直流稳压电源 本章重点是直流稳压电源的组成及各部分的作用，单相桥式整流电路的分析和估算，电容滤波电路的分析和估算，稳压管稳压电路的分析，串联型稳压电路的分析和输出电压调节范围的计算，三端稳压器的应用。 本章的难点是各种稳压电路的稳压原理。 （1–*） * 第一章半导体元件及其特性 第二章基本放大电路 第三章负反馈放大器与集成运算放大器 第四章功率放大器及其应用 第五章振荡器 第六章直流稳压电源 5、稳压二极管和发光二极管的特性，符号。 6、晶体管有发射结、集电结两个PN结，发射区、基区、集电区三个区域，发射极、基极、集电极三个极。 7、晶体管的电流放大作用IC=βIB ，三个电流之间的关系IE= IC+ IB 。 8、晶体管的输入特性、输出特性、主要参数和三个工作区域，晶体管工作在放大区、饱和区和截止区的特点。 9、场效应管的主要特点 。 练习： 1．P型杂质半导体中多数载流子是 ，少数载流子是 ，少子的浓度是由 决定。 2.二极管的主要特性是 ，它的两个主要参数是 和 ；常温下，硅二极管的死区电压约 V，正向导通压降约为 V。 3.双极型晶体管从结构上看可以分成 和 两种类型，它用来放大时，应使发射结 偏置，集电结 偏置。 4.用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型与3个电极时，以测量 最为方便。 A．各极间电阻 B.各极对地电位 C．各级电流 5.某晶体管的极限参数PCM=200mW, ICM=150mA,V(BR)CEO=50V,若它的工作电压VCE=20V，则工作电流IC不得超过 mA。 A．50mA B．150mA C．10mA 6.测得某放大电路中BJT三个电极A,B,C的对地电位分别为VA=-9V, VB=-6V, VC=-6.2V, 试分析 A,B,C中哪个是基极b,发射极e,集电极c,并说明此BJT是NPN管还是NPN管 。 1、怎样组成基本共射放大电路，为什么要设置静态工作点，组成放大电路的基本原则是什么。 2、为什么在分析放大电路时常画出它们的直流通路和交流通路，画出直流通路和交流通路应遵循什么原则。 3、了解图解法分析放大电路的Q点、失真及消除失真的方法，通过分析电压放大倍数进一步理解放大电路的工作原理；什么是交直流负载线，说明在图