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烧结工艺对ITO靶材致密度与电阻率的影响
学兔兔
第 20卷第 4期 粉末冶金材料科学与工程 2015年8月
、r01.2ONo.4 M aterialsScienceandEngineeringofPowderMetallurgy Aug.2015
烧结工艺对 ITO靶材致密度与电阻率的影响
张明杰, 陈敬超,彭 平,于 杰
(1.昆明理工大学 稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室;
云南省新材料制备与加工重点实验室,昆明 650093)
摘 要:以等离子电弧法制备的铟一锡氧化物(indium.tinoxide,ITO)纳米粉末为原料,采用冷等静压—烧结工艺制
备 ITO靶材,用排水法和涡流导电仪分别对 ITO靶材的致密度和电阻率进行测量,研究烧结温度、升温速率、烧
结时间以及气氛压力对靶材致密度和电阻率的影响。结果表明,在烧结温度为 1550℃、升温速率为500℃/h、
烧结时间 8h、氧气气氛压力为 0.02MPa条件下制备的 ITO靶材致密度和电阻率分别为 99.54%和 1.829×10
Qe·m,能够满足高端光伏、液晶显示屏(LCD)等领域对ITO靶材致密度和电阻率的要求。
关键词:烧结温度;升温速率;烧结时间;气氛压力;电阻率
中图分类号:TB34,TB332 文献标识码:A 文章编号:1673-0224(2015)4.623-08
Effectofsinteringprocessonthedensityandresistiviyt
oflTO targetmaterials
ZHANGMing-jie,CHENJing-chao,PENGPing,YUJie
(TheKeyLaboratoryofPreciousn·onferrousMetalsAdvancedMaterials,MinistryofEducationofChina;
TheKeyLaboratoryofAdvancedMaterialsofYunnna Province,
KunmingUniversityofSciencenadTechnology,Kunming650093,China)
Abstract:Theinfluencesofthesinteringtemperature,heatingrate,sinteringtimeandatmospherepressureonthedensiyt
andresistiviytof(indium—tinoxide,ITO)targetprepraedbycoldisostaticpressing—sinteringprocessusinghteplasmaarc
nanoscaleITOpowderastheraw materialwerestudied.Thedensiyt andresistivityofITOtargetweremeasuredby
drainageandeddyconductiviytmeter,respectively.Theresultsshow thathtedensitynadresistiviyt ofhteITO target
preparedatthesinteringtemperautreofl550 ℃,heatingrateof500 ℃ /Il,sinteringtimeof8h,oxygenamtosphere
pressureof0.02MParae99.54% and1.829×10 Q cm.respectively,whichCna meettheapplicationrequirementsof
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