第四章-光电成像器件.ppt

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第四章-光电成像器件课件

* * * * * * * * * * * * * * * ??? 在低照度下,CCD的输出电压与照度有良好的线性关系。照度超过1001x以后,输出有饱和现象。 3光电特性 4光谱特性 44万(768*576)、100万(1024*1024)、200万(1600*1200)、600万(2832*2128) CCD光谱响应与光敏面结构、光束入射角及各层介质的折射率、厚度、消光系数等多个因素有关。 5分辨率:实际中,CCD器件的分辨率一般用像素数表示,像素越多,则分辨率越高。 四、CCD摄像器件 2048 × 2048 面阵CCD 5000像元线阵CCD 1. 三相单沟道线阵CCD 2. 双沟道线阵CCD 3. 面阵CCD摄像器件 (1) 三相单沟道线阵CCD 放大器 结 构: 转移栅 光敏区 CCD移位寄存器 1 线阵列CCD摄象器件 放大器 工作过程: 光 敏 区 转 移 栅 移 位 寄 存 器 (1) 三相单沟道线阵CCD 工作过程: 三相时钟脉冲 视频信号输出 (1) 三相单沟道线阵CCD 光 敏 区 转 移 栅 移 位 寄 存 器 放大器 特点:单沟道传输的特点是结构简单,但电荷包转移所经过的极板数多,传输效率低。 (1) 三相单沟道线阵CCD (2) 双沟道线阵CCD 特点:双通道传输的特点是结构复杂一些,但电荷包转移所经过的极板数只是单侧传输的一半,所以损耗小,传输效率高。 2 面阵列CCD摄象器件 帧转移面阵CCD 成像区 暂存区 水平读出 寄存器 2 面阵列CCD摄象器件 1)结构 成像区 暂存区 场正程期间: 场逆程期间: 光学图像 电荷包图像 电荷包图像 2)工作过程 暂存区 场正程期间: 水平读出 寄存器 行逆程期间 行正程期间 电荷包图像 暂存区 场正程期间: 水平读出 寄存器 行逆程期间 暂存区的信号电荷产生一行平移 行正程期间 电荷包图像 暂存区 场正程期间: 水平读出 寄存器 行逆程期间 行正程期间 电荷包图像 水平读出寄存器输出一行视频信号 暂存区 场正程期间: 水平读出 寄存器 行逆程期间 暂存区的信号电荷产生一行平移 行正程期间 电荷包图像 暂存区 场正程期间: 水平读出 寄存器 行逆程期间 行正程期间 电荷包图像 水平读出寄存器输出一行视频信号 暂存区 场正程期间: 水平读出 寄存器 行逆程期间 行正程期间 电荷包图像 暂存区的信号电荷产生一行平移 暂存区 场正程结束时 水平读出 寄存器 行逆程期间 行正程期间 电荷包图像 水平读出寄存器输出一行视频信号 工作过程: 面阵CCD摄像器件 (小结) 成像区 暂存区 水平读出 寄存器 场正程 场逆程 结构: 图 像- 电 荷 成像区-暂存区 场正程 行逆程 行正程 电荷平移 输出信号 光敏区 存储区 读出寄存器 3 CCD的特点 体积小,功耗低,可靠性高,寿命长。 空间分辨率高,可以获得很高的定位精度和测量精度。 光电灵敏度高,动态范围大,红外敏感性强,信噪比高 。 高速扫描,基本上不保留残象(电子束摄象管有15~20%的残象) 集成度高 非接触测量。 无像元烧伤、扭曲,不受电磁干扰。 有数字扫描能力。像素位置信息准确、像元的位置可由数字代码确定,便于与计算机结合接口。 互补金属氧化物场效应管 7.3.2 CMOS图像传感器 Complementary Metal Oxide Semiconductor --简称 CMOS 特点:成品率高、价格低廉,像质量? CMOS数码相机 7.3.2 CMOS图像传感器 7.3.2 CMOS图像传感器 信号读出采用X-Y寻址方式, 具有读出任意局部画面的能力 7.3.2 CMOS图像传感器 4.CMOS成像器件与CCD成像器件: 最大差异: 单元结构(带放大器) 信号寻址读出与信号顺序读出 应用差异: CCD低噪声、高分辨率、高灵敏度等高画质性能--占据图像传感器高端市场; CMOS 高集成度、高速、小体积、低价格等特点--占据低端市场大的份额。 像元结构 : 无源像素(PPS)结构 有源像素(APS)结构 PPS的致命弱点是读出噪声大,主要是固定图形噪声,一般有250个均方根电子。 光电二极管型(PD-APS): 读出噪声典型值为(75~100)个均方根电子。适用于大多数中

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