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浮栅驱动自举电容
一般Qgate ≈ Qtotal
1. ΔVboot ≈ 10%Vdd, Vdd为栅极供电电压。
2. ΔVboot ≈ 1V
上式是按MOS管关断时,根据Vgs可以变化的范围,计算的Cboot,此公式计算的是Cboot的最小值。
又根据MAXIM电源芯片手册
此公式根据电容充电时间,计算Cboot的最大值
MOS防浪涌,防止漏极D电流通过Cgd,Cgs充电,使栅极导通
Crss = Cgd
Ciss = Cgs + Cgd
有时需要在GS极间加一电容C
,
栅极需串电阻,原因是Cgs与S极电感及控制回路的走线电感有可能产生LC振荡,根据RLC串联电路,Lp为驱动地与S极间的电感
R =时,不产生振荡
驱动栅极电流和开关损耗
开关的上升和下降时间一般取开关频率的%2左右
栅极开关损耗Pdrv = 0.5 * Qg * Vgs * fsw , 因为Q = CV,
开关损耗主要消耗在栅极电阻上,如果使用自举电路,则损耗还消耗在自举二极管和自举电容的ESR上。
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