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四探针法测量应变Si1-x Gex 掺杂浓度
2003 4 () Apr.2003
30 2 J OURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY Vol.30 No.2
Si Ge
1-x x
1 1 1 2
戴显英, 王 伟, 张鹤鸣, 何 林,
2 1 1
张 静, 胡辉勇, 吕 懿
(1.西安电子科技大学 微电子研究所, 陕西 西安 710071;
2.信息产业部 电子24 所, 重庆 400060)
:在对Si Ge 材料多子迁移率模型分析基础 , 建立了Si Ge 材料电阻率与其Ge 组分、掺杂
1-x x 1-x x
浓度关系的曲线图谱.经过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究, 提出了采用四探针
法表征Si Ge 材料掺杂浓度的技术.该表征技术与Si 材料掺杂浓度的在线检测技术相容, 且更加简
1-x x
捷.通过实验及对Si Ge 材料样品掺杂浓度的现代理化分析验证了其可行性.
1-x x
:Si Ge 材料;迁移率模型;电阻率;掺杂浓度;四探针
1-x x
:TN304.07 :A :1001-2400(2003)02-0255-04
Measurement of doping concentration in strained
Si1-x Gex with four-probe array
1 1 1 2
DAI X ian -ying , WAN G Wei , ZHANG He-ming , HE L in ,
2 1 1
ZHANGJ ing , HU Hui-yong , L Yi
(1.Research Inst.of icroelectronics, Xidian Univ., Xi′an 710071, China;
2.Sichuan Inst.of Solid-State Circuits, Chongqing 400060, China)
Abstract: Based on a new majority carrier mobility model of the strained Si Ge material, the relation between
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