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An Introduction to Database Systenm 船舶无线电技术基础 第2章 晶体三极管及电压放大电路 大连海事大学信息科学技术学院主讲教师：杨梅 2.1 晶体三极管—双极型三极管 2.1.1 结构 三极管由两个PN结构成 分类：NPN型和PNP型 以NPN型为例： 三个区：发射区、基区、集电区 三个极：发射极E、基极B、集电极C 两个结：发射结（BE结）、集电结（CB结） 晶体三极管实现放大的条件： （1） 内部结构条件： 发射区高掺杂。 基区很薄。 集电结面积大。 （2）外部偏置条件： 外加电源使发射结正偏，集电结反偏。 晶体三极管放大时内部载流子的运动 晶体三极管放大时内部载流子的运动 2.1 晶体三极管—双极型三极管 NPN和PNP的符号 2.1 晶体三极管—双极型三极管 2.1.3 晶体三极管的伏安特性曲线（NPN） 晶体三极管伏安特性曲线： 描绘三极管各极电压和电流间的相互关系 2.1.3 晶体三极管的伏安特性曲线（NPN） 输入特性曲线 发射结正偏： iB＝fin（vBE）︱vCE＝常数 vCE=0，与二极管伏安特性曲线正向相似。 死区电压 导通压降 vCE>0,vCE>vBE，曲线向右移。 vBE一定， iB随vCE增大而减小. vCE>=1, vCE再增大， iB也不会减小很多。 2.1.3 晶体三极管的共射特性曲线（NPN） 输出特性曲线: 从特性分四个区： 放大区 截止区 饱和区 击穿区 2.1.4 晶体三极管的四个工作区 2.1.4 晶体三极管的四个工作区 2.1.4 晶体三极管的四个工作区 2.1.4 晶体三极管的四个工作区 2.1.4 晶体三极管的四个工作区 放大区：Je正偏，Jc反偏 截止区：Je和Jc都反偏 iC?0，CE之间相当于开路 饱和区：Je和Jc都正偏 CE间饱和压降约为0.3V，很小。 因而CE 之间相当开关闭合。 晶体三极管的开关作用广泛应用于数字电路中 2.2 单管电压放大电路 共发射极放大电路 2.2 单管电压放大电路 2.2 单管电压放大电路 2.2 单管电压放大电路 分析遵循的原则：先静态分析、后动态分析 静态：未加交流输入信号（vi＝0）时的工作状态（直流状态）称静态。静态时晶体管各极直流电流和极间直流电压的值，称为静态工作点，常用Q表示，即（IBQ、 VBEQ 、ICQ、VCEQ）；用直流通路分析。 动态：分析加上交流输入信号vi时的工作状态。用交流通路来分析。 直流通路与交流通路 由于放大电路中存在电抗性元件，对直流信号和交流信号呈现的阻抗不同，所以，直流的通路和交流的通路是不同的。 正确画出直流通路和交流通路的方法： 直流通路的 画法： 电容：开路； 电感线圈：短路； 信号源：短路， 但应保留其内阻。 交流通路的 画法： 大容量电容（如耦合电容）：短路， 理想电压源（VCC）：短路； 理想电流源：开路； 例1：画放大电路的直流通路和交流通路 例2：画放大电路的直流通路和交流通路 2.2 单管电压放大电路 分析遵循的原则：先静态、后动态 静态分析：画直流通路，用于求解静态工作点。 动态分析：画交流通路，用于研究放大电路的动态性能指标（放大倍数、输入电阻、输出电阻等）。 电压放大原理 静态：当 vi＝0时，静态工作点IBQ、VBEQ、ICQ和VCEQ。 VCEQ为恒定量，C2有隔直作用。 vO＝0。 2.2 单管电压放大电路 动态分析：加入小信号vi vBE=VBEQ+vi iB=IBQ+ib iC=βiB=β IBQ+ β ib=ICQ+ic vCE=VCC-iCRC =VCC-ICQRC-icRC=VCEQ+vce C2具有“隔直流，通交流”的作用 vo=vce= - icRC 结论 2.2 单管电压放大电路 放大电路的分析方法 图解法：利用晶体管的输入、输出特性曲线，用作图的方法分析。 微变等效电路法：在一个小的变化范围内，近似认为三极管的特性曲线为线性，因此用其相应的微变等效电路代替三极管，将非