icp刻蚀在微加速度传感器制作中的应用 application of icp etch in the fabrication of micro-accelerometer sensors.pdfVIP
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icp刻蚀在微加速度传感器制作中的应用 application of icp etch in the fabrication of micro-accelerometer sensors
显徼、测量、徼纽加工技术与设备
ICP刻蚀在微加速度传感器制作中的应用
周敬然“2,张海英1,瞿鹏飞2,董玮2,刘彩霞2
(1.中国科学院微电子研究所射频集成电路研究室,北京100029;
2.吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,长春130012)
摘要:针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了气体流量、射频功率和工作室气压设定值等
工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上荻得了线宽为40Fm时深刻蚀的最佳工艺参数,
即采用BOSCH工艺,压力设定为6Pa,在刻蚀过程中通入流量为100cm3/rain的SF6气体,持
续11S,射频功率20W,源功率450
W,保护过程中通入流量为75cm3/min的C4F8气体,持
续10
S,射频功率0W,源功率220W,得到了最佳刻蚀结果,并利用此工艺制作出了量程为
±12g,灵敏度为79mV/g,精度高于±2%微机械加速度传感器。
关键词:微机电系统(MEMS);加速度传感器;反应离子刻蚀;高深宽比;深刻蚀
ofICPEtchintheFabricationof
Application
Micro-AccelerometerSensors
Zhou Wei2,LiuCaixia2
Jingranl”,ZhangHaiyin91,QuPengfei2,Dong
(1.RFICDepartment,Institute 100029,China;
ofMicroelectronics,ChineseAcademyofSciences.BeOing
2.State on ElectronicScienceand
KeyLaboratoryIntegrated
Optoelectronics,Collegeof Engineering,
Jilin
University,Changchun130012,China)
ICP wasfurther
Abstract:The studied.Theeffectsofthe flowrate.RF
etchingtechnology gas power
and chamber onthe resultwere of
etching pressureetching discussed.Finally,theoptimumparameters
theICP with wide
etching40弘m linesonthesiliconsubstratewere theBOSCHtechnolo—
gotten.Using
withthe of6 flowrateis100 for11 RF 20W
gy Pa,theSF6 cm3/min Swiththe of and
pressure power
thesource of450W the
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