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MOCVD自催化法在Si100衬底上生长InP/InGaAs核壳-发光学报
第33卷 第3期 发 光 学 报 Vol33 No3
2012年3月 CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCE Mar.,2012
文章编号:10007032(2012)03029405
MOCVD自催化法在 Si(100)衬底上
生长 InP/InGaAs核壳结构纳米线
1,2 1
张登巍 ,缪国庆
(1.发光学与应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春 130033;
2.中国科学院研究生院,北京 100039)
摘要:采用自催化法,利用金属有机化学气相沉积技术,在Si(100)衬底上成功制备了InP/InGaAs核壳结构
纳米线。通过扫描电子显微镜观察纳米线形貌,在核壳结构纳米线的顶端催化剂转化成了颗粒状晶体。利
用X射线衍射和透射电子显微镜研究了InP纳米线上生长InGaAs外壳的过程,并应用X射线能量色散能谱
仪对纳米线顶端进行了轴向和径向的线扫描,得到了纳米线上元素组分分布。催化剂的转化发生在制备
InGaAs壳之前的升温过程中,且形成的晶体中含有合金成分。InGaAs壳的组分调整可以通过改变生长过程
中生长源气体的流量来实现。
关 键 词:自催化法;金属有机化学气相沉积;InP/InGaAs核壳结构;纳米线
中图分类号:O472.3 文献标识码:A DOI:10.3788/fgx0294
TheCatalystfreeInP/InGaAsCoreshellNanowiresGrowthon
SiliconbyMetalOrganicChemicalVaporDeposition
1,2 1
ZHANGDengwei ,MIAOGuoqing
(1.StateKeyLaboratoryofLuminescenceandApplications,ChangchunInstituteofOptics,FineMechanicsandPhysics,
ChineseAcademyofScience,Changchun130033,China;
2.GraduateSchooloftheChineseAcademyofScience,Beijing100039,China)
CorrespondingAuthor,Email:miaogq@ciomp.ac.cn
Abstract:CatalystfreeInP/InGaAscoreshellnanowiresweregrownonSi(100)substratesbymetal
organicchemicalvapordeposition.ThesenanowireshavequitedifferentpropertiestoAucatalyst
coreshellnanowires.Byusingscanningelectronmicroscope,wefoundthatthecatalystatthetopof
theInPnanowireshadbeentransformedintocrystalaftertheInGaAscoregrownonthem.Mean
while,thediameterofthenanowireshasgreatlyincreasedwiththeirlengthchangedquitelittle.The
Xraydiffractionpa
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