基于Ni电极和ZrO2SiO2ZrO2介质的MIM 电容的导电机理研究.pdfVIP

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基于Ni电极和ZrO /SiO /ZrO 介质的MIM电容的导电机理研究 刘骐萱 王永平 刘文军 丁士进 ConductionmechanismsofMIMcapacitorswithZrO /SiO /ZrO stackeddielectricsandNielectrodes LiuQi-Xuan WangYong-Ping LiuWen-Jun DingShi-Jin 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,087301(2017) DOI: 10.7498/aps.66.087301 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.66.087301 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2017/V66/I8 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 基于串并联磁控忆阻器的耦合行为研究 Researchofcouplingbehaviorbasedonseries-parallel flux-controlled memristor 物理学报.2015,64(23): 237303 /10.7498/aps.64.237303 Ti/HfO /Pt 阻变存储单元中的氧空位聚簇分布 ClusterdistributionforoxygenvacancyinTi/HfO /Ptresistiveswitchingmemorydevice 物理学报.2015,64(20): 207302 /10.7498/aps.64.207302 忆阻器及其阻变机理研究进展 Researchprogressofmemristorsandmemristivemechanism 物理学报.2014,63(18): 187301 /10.7498/aps.63.187301 Ni/HfO /Pt 阻变单元特性与机理的研究 ElectriccharacteristicsandresistiveswitchingmechanismofNi/HfO /Ptresistiverandomaccessmemory cell 物理学报.2014,63(14): 147301 /10.7498/aps.63.147301 界面效应调制忆阻器研究进展 Progressofmemristormodulatedbyinterfacialeffect 物理学报.2012,61(21): 217306 /10.7498/aps.61.217306 万方数据 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 66, No. 8 (2017) 087301 基于Ni 电极和ZrO /SiO /ZrO 介质的MIM 电容的导电机理研究 刘骐萱 王永平 刘文军 丁士进 (复旦大学微电子学院, 专用集成电路与系统国家重点实验室, 上海 200433) ( 2016 年11 月13 日收到; 2017 年1 月16 日收到修改稿) 研究了基于Ni 电极和原子层淀积的ZrO /SiO /ZrO 对称叠层介质金属-绝缘体-金属(MIM) 电容的电 学性能. 当叠层介质的厚度固定在14 nm 时, 随着SiO 层厚度从0 增加到2 nm, 所得电容密度从13.1 fF/m 逐渐减小到9.3 fF/m , 耗散因子从0.025 逐渐减小到0.02

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