微机原理课件ch10中文.ppt

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8088 (8位)存储器接口 * 第*页 8088 (8位)存储器接口 * 第*页 8086 16位存储器接口 这些芯片和8088/80188有几方面不同: 16位数据总线宽度 BHE,总线高使能,加入了控制信号 地址引脚A0(或BLE,总线低使能)用法不同 16位的数据总线有一个新的问题: 微处理器除了8位区域之外,必须能够读和写数据至任何16位的区域. 数据总线和存储器分为存储体: * 第*页 8086 16位存储器接口 BHE和BLE可选一个,也可都选 存储体选择可通过下列两种方式: 为每个存储体选择写译码器(驱动CS) 为每个存储体选择写信号(选通),驱动WE 注意,系统中的8位的读请求由微处理器处理(它从总线上的16位中选择需要读的位) 尽管书本说这些模式之间存在很大的差异,但看起来差异不大 注意在任何模式中A0并不与存储器连接,总线A1连接到存储器A0脚,总线A2连接到存储器A1脚,等等 * 第*页 8086 16位存储器接口 * 第*页 * 第*页 存储器地址空间的硬件组成 * 第*页 数据传送 8088 * 第*页 数据传送 8086 * 第*页 数据传送 8086 * 第*页 数据传送 8086 * 第*页 数据传送 8086 * 第*页 存储器架构 * 第*页 存储器架构 * 第*页 存储器架构 * 第*页 存储器架构 * 第*页 存储器构造问题 给定地址范围,需要多少芯片来构造该存储器空间? 给定具体地址,如何安排存储器芯片? 给定存储器芯片连接图,如何计算地址范围? * 第*页 作业 2,3,7,19,22,27,31 * 第*页 * 第十章 存储器接口 教师:余有灵 博士 内容 第一节 存储器件 第二节 存储器地址译码 第三节 8086/8088存储器接口 第四节 存储器结构 主旨: 存储器地址译码 * 第*页 * 第*页 存储器件 类型 ROM: 只读存储器 RAM: 可读-可写存储器 四种常用存储器 ROM Flash, EEPROM 静态随机存储器(SRAM) 动态随机存储器(DRAM), SDRAM, RAMBUS, DDR RAM 一般引脚配置 * 第*页 存储器芯片 地址引脚 地址引脚的数目和存储单元的数目相关 20个引脚对应1M 数据引脚 数据引脚通常是读-写存储器中的双向引脚. 数据引脚的数目和存储器单元的大小相关. 例如,8位宽的(字节宽)的存储单元的设备有8个数据引脚. 1KX8的型号意味着用10条地址引脚可寻址1字节宽的8K个二进制位的内存. 控制引脚 #CS或#S: 片选, 读/写操作使能 #OE或#G: 输出使能,使能/禁用一组三态缓冲器 #WE: 写操作使能 某些芯片, R/#W * 第*页 ROM存储器 非易失性存储器: 断电时保持它的状态. 有几种形式: ROM: 工厂中已编程,不能改变. 老一点的型号. PROM: 可编程只读存储器. 现场可编程但只能编程1次.老一点的型号. EPROM: 可擦除可编程只读存储器. 重新编程需要在高强度的紫外线下暴露长达20分钟. Flash, EEPROM: 电可擦除可编程ROM. 也称为EAROM (电可改写ROM)和NOVRAM (非易失性RAM). 写入操作比通常的RAM慢得多. 通常用于存储设置信息,例如,计算机系统中的视频卡. 可用来代替用作BIOS存储器的EPROM. * 第*页 ROM存储器 地址线 数据线 控制线 片使能: #CE 输出使能: #OE * 第*页 读操作 * 第*页 标准EPROM芯片 * 第*页 Intel 2716 EPROM * 第*页 Intel 2716 EPROM * 第*页 RAM存储器 微机算机系统的存储器一般既有只读存储器也有读/写存储器(RAM) RAM和ROM有两个方面不同: RAM中的数据本质上不是固定的 RAM是不稳定的—也就是说,如果RAM断电,储存的数据会丢失 RAM一般用于储存数据和执行的应用程序 * 第*页 RAM存储器 DRAM与SRAM SRAM大小有限制. DRAM可以大得多,例如64M×1. DRAMs必须每2至4毫秒刷新(重写)一次 因为它们将数值存于集成的电容上面,电容会随着时间放电. 刷新由DRAM中的专门电路执行,该电路会刷新整个存储器. 刷新也会发生在通常读或写的时候. DRAM的大的存储能力使得给它添加需要数目的引脚变得不切实际. 作为替代,这些引脚是多路复用的. * 第*页 RAM存储器 静态RAM的方框图 RAM芯片设计中最常用的规格为64KB和256KB 数据线是双向的,读写操作由CE、OE、WE控制信号控制 * 第*页 TI 4016 SRAM * 第*页 DRAM TMS4464一共可以存储256K比特的数据. 它有64

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