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总剂量效应致013μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场
总剂量效应致0.13 m部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应
周航 郑齐文 崔江维 余学峰 郭旗 任迪远 余德昭 苏丹丹
Enhancedchannelhotcarriereffectof0.13 msilicon-on-insulatorNmetal-oxide-semiconductorfield-
effecttransistorinducedbytotalionizingdoseeffect
Zhou Hang Zheng Qi-Wen Cui Jiang-Wei Yu Xue-Feng Guo Qi Ren Di-Yuan Yu De-Zhao Su
Dan-Dan
引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,096104(2016) DOI: 10.7498/aps.65.096104
在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.096104
当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I9
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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 9 (2016) 096104
总剂量效应致0.13 m部分耗尽绝缘体上硅N型
金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子
增强效应
周航 郑齐文 崔江维 余学峰 郭旗 任迪远
余德昭 苏丹丹
1) (中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 中国科学院新疆理化技术研究所,
乌鲁木齐 830011)
2)(新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011)
3)(中国科学院大学, 北京 100049)
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