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集成电路及微机械加工技术-------半导体集成电路器件基础(MOS部分）
一、结型场效应管特性
JFET的结构是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。一个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极
根据结型场效应三极管的结构，因它没
有绝缘层，只能工作在反偏的条件下，对
于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。现以N沟道为例说明其工作原理
栅源电压对沟道的控制作用
当VGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏、源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。当VGS＜0时，PN结
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