- 1、本文档共63页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第六章 pn 结
主 讲:施 建 章
E-Mail: jzhshi@mail.xidian.edu.cn
西安电子科技大学技术物理学院
二零零七年九月
主 要 内 容
一、pn 结的一些基本概念
二、pn 结的空间电荷区和能带图
三、pn 结的接触电势差
四、pn 结的电流电压特性
五、pn 结的电容效应
六、pn 结的击穿效应
七、pn 结的隧道效应
pn 结的一些基本概念
pn 结
~由p 型材料和n型材料相接触而形成的分界层,实际
由掺杂的办法来得到。
同质结
~ 同类材料而导电类型相反的pn 结。
异质结
~两种不同类半导体材料所形成的pn 结。
1. 表示异质结时,除需要标明两种材料的导电类型外,通常还把
禁带宽度较小的半导体材料写在前面。如:p-n Ge-Si; n-n Ge-Si;
n-p Ge-GaAs等
2. 异质结需要关注两种不同半导体材料性能参数的匹配等问题。
pn 结的一些基本概念
突变结
p 区和n 区杂质浓度都均匀分布,而结界面两侧杂质类型及
浓度突然变化。一般通过合金法或离子注入法得到。
x x N x N,< ( j ) A ⎫⎪
⎬
x x N x N,> ( j ) D ⎭⎪
pn 结的一些基本概念
缓变结
从一个区域到另一个区
域,杂质浓度逐渐变化。一
般通过扩散法形成。
在扩散结中,如杂质分
布可用该处的切线近似表
示,则称为线性缓变结;通
常低表面浓度的深扩散结是
线性缓变结;而高表面浓度
的浅扩散结(如p+-n结)则
可认为是突变结。
x x <N Nj > A , D ⎫⎪
⎬
x x >N Nj > D , A ⎭⎪
pn 结的空间电荷区
p 型半导体与n型半导体接触面,漂移运动与扩散运动达到平
衡,形成稳定的空间电荷区,宽度保持不变。称为热平衡态
下的pn 结。
pn 结的空间电荷区
p 型半导体与n型半导体接触面,漂移运动与扩散运动达到平衡,形成稳
定的空间电荷区,宽度保持不变。称为热平
文档评论(0)