GB/T 32815-2016硅基MEMS制造技术　体硅压阻加工工艺规范.pdf

ICS 31.200 k_ __ L55 口目 中华人民共和国国彖标准 GB/T 32815—2016 硅基MEMS制造技术 体硅压阻加工工艺规范 Silicon-based MEMS fabrication technology — Specification for criterion of the bulk silicon piezoresistance process 2016-08-29 发布 2017-03-01 实施 GB/T 32815—2016 目 前言m i范围1 2规范性引用文件1 3 术语和定义 1 4 T艺流程 1 4.1 概述 1 4.2 硅片选择1 4.3硅片压阻区制备 1 4.4 硅片隔离区制备 5 4.5 硅片背腔腐蚀 6 4.6 硅片引线制备 （G） 10 4.7 玻璃片金属电极制备 12 4.8 硅-玻璃键合 14 4.9键合片硅面刻蚀 15 5 T艺保障条件要求 17 5.1 人员要求17 5.2 环境要求17 5.3 设备要求17 6 原材料要求 18 7 安全操作要求19 7.1 用电安全19 7.2 化学试剂19 7.3 排放 19 8 检验19 8.1 总则 19 8.2 检验方法和要求 19 T GB/T 32815—2016 ■ i r ■ ■ i 刖 吕 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)提出并归口。 本标准主要起草单位:北京大学、中机生产力促进中心、大连理工大学、东南大学、北京青鸟元芯微 系统科技有限公司。 本标准主要起草人：张大成、王玮、李海斌、杨芳、黄贤、何军、刘冲、刘伟、周再发、刘军山、李婷、 姜博岩。 m GB/T 32815—2016 硅基MEMS制造技术 体硅压阻加工工艺规范 1范围 本标准规定了采用体硅压阻工艺进行MEMS器件加T时应遵循的工艺要求和质量检验要求。 本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于背腔腐蚀和硅-玻璃键合的体硅压阻加丁工艺的加T和 质量检验。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 。凡是不注日期的引用文件 ，其最新版本（包括所