GB/T 6798-1996半导体集成电路　电压比较器测试方法的基本原理.pdf

ICS 31.200 OB 中华人民共和国国家标准 GB/T 6798-1 996 半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理 Semiconductor integrated circuits General principles of measuring methods of voltage comparators 1996-07-09 发布 1 997-01-01 实施 家 ：技术监僭局发布 目 次 1主副内容与适用也谢1 2弓 I用标准 - 1 3总的要戒 1 4电持性冏试 2 4.1输入失调电IR VBJ 2 4.2输入失调电压i»度系ft avm — 3 4.3输入失调电 4 4.4输人失调电流温度豪数％ ） “・5 4.5输入怕殴电浪/■ 6 4.6输人恢青电溫说度杲散＜» 6 4.7律态功耗A, 7 4.8 幵环电斥冷益儿° 8 4.9共鶯非制比辰叩 10 4.10最大共備輛入电压 13 4. 11 电源电压抑制比K’m 】3 4.12 *4大差犍峨入电it ViaM 15 4. 13缁出高电平电压匕期 16 4. 14 输出低电平电ffi VL＜L 16 4.15 高电平输岀电流Joh 17 4.16 低电平納出电流人 18 4. 17 开环差模输入电阻尺口 19 4.18 开环单粉出电阻 b 19 4.19低电平选通电就人仏＞ 20 4. 2Q高电平选通电vft ^sfcui 21 4.21响应时间 4- 22选通延迟时间5 附录A电參数符号（补死件） 25 中华人民共和国国家标准 半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理 gb/t 6798-1996 Semiconductor integrated circuits 代W GR 67Q« 86 General principles of measuring methods of voltage CTMnparators 1主題内春与适用范醐 本标准规宦了半导体與成电路电压比较器（以下磴称器件）电将性测试方医的慕布原用 *惦准适用于半导体毎成电烙电压比较签电特性的幽试. 2引用标准 GB 3431. 1半导体餐成屯路文字符号 电参救文字符号 3总的整求 3-1若无胖殊说明 ，魁试期问，歼境或篡考点船度促离规定值的柩圏应符合 “件谗第規范的规定. 3.2利试期间•应菇免外界 I扰对IW试榊度的够响.伺试设备引起的测试误差应符合欝件佯细規范的 规定. 3.3测试期闾 ，極于被赵雅件的电涯的内阻在信号植卓下应荡本为寧 ：电探电压的備范应在规定債的 ±】％以内. «f件的其他电嘉it的精度应符合器件详细规范的规定。 3・4在被* *2? 件找性工作区測试时 ，交佈小信号幅度的谨渐减小不应引起鲁数（ft的变化. 3. 5祓伺器杵与材试系统连按或斷开时•不应iffl过器件的續用軽限条件. 3