毕业论文设计《微电子工艺课程设计-提高光学光刻分辨率的方法研究》.doc

PAGE 2 微电子工艺课程设计 提供光学光刻分辨率的方法研究  目录 TOC \o "1-4" \h \z \u 摘要 5 关键词 5 引言 5 正文 6 一、 提高分辨率的方法 6 1. 影响图形光刻分辨率的主要因素 6 1.1掩膜（Mask） 6 1.2 照明系统（Illumination system） 7 1.3 投影（Projection） 7 1.4发射和过滤特性 8 1.5成像(Image) 9 1.6曝光（Expose） 10 1.7烘烤（Bake） 11 1.8显影（Develop） 11 1.9一些效应的影响 12 2. 提高分辨率的措施 14 2.1掩膜 14 2.2照明系统 15 2.3投影（Projection） 16 2.4发射和过滤特性 17 2.5成像（Image） 18 2.6曝光（Expose） 18 2.7烘烤（Bake） 19 2.8显影（Develop） 20 2.9一些常见且有效的技术 22 2.10采用先进的光刻技术 28 二、 一个优化的工艺组合方案的各参数的确定 31 1 掩膜版和照明窗口的设计 31 仿真1 33 仿真2 35 仿真3 36 仿真4 37 仿真5 39 仿真6 40 结论 41 2 数值孔径 42 3光照波长 42 仿真1： 42 仿真2： 43 仿真3： 44 仿真4： 45 结论 46 4 照明系统与光轴的角度和离轴照明技术的结合使用 46 仿真1： 47 仿真2： 47 仿真3： 48 仿真4： 49 仿真5： 49 结论： 50 5 光刻胶的厚度、光照强度和曝光剂量 50 仿真1 50 仿真2 51 仿真3 52 仿真4 52 仿真5 53 仿真6 54 仿真7 54 仿真8 55 仿真9 56 仿真10 56 结论 57 6 耀斑数 57 仿真1 58 仿真2 58 仿真3 59 结论 60 7 损伤因子 60 仿真1 60 仿真2 61 仿真3 63 结论 64 8反射的次数和POWER MIN 64 仿真1 64 仿真2 65 仿真3 66 结论 67 9 烘烤的温度和时间 67 仿真1 67 仿真2 68 仿真3 69 仿真4 70 仿真5 71 结论 72 10 显影的模型和显影的时间 72 仿真1 72 仿真2 73 仿真3 74 结论： 75 11 一些常见且有效的技术 75 11.1消除驻波效应技术 75 11.2消除光学邻近效应的技术 76 11.3曝光均匀性问题解决技术 80 11.4采用浸入式光刻技术 80 11.5多次曝光技术 84 11.6 NA增强技术 86 三、 优化方案的总结 86 3.1方案的汇总 86 3.2上述方案的评定 88 3.2.1优点： 88 3.2.2 不足点： 88 3.2.3最小接触孔光刻图形尺寸 88 四、 该系统进一步的优化 88 参考文献 89  摘要 摘要：本文首先介绍了影响分辨的主要因素，然后针对这些因素提出了提高分辨率的方法，结合影响分辨率的因素和先进的光刻技术提出一个优化的光刻工艺组合方案。该方案考虑到了大部分影响分辨率的因素，并且进行了众多参数的综合优化。在此基础上，总结了该方案的优点和不足，提出了进一步优化努力的方向。 关键词 关键词：分辨率、 波长、数值孔径、工艺因素，综合优化 引言 光学光刻是IC制造的基础工艺之一，当前几乎所有的IC芯片都由光学光刻制造。光刻的原理是将对光敏感的光刻胶旋涂到硅片上，在表面形成一层薄膜；随后使用光刻版，版上包含着所要制作的特定层的图形信息，光源拖过光刻版照射到光刻胶上使得光刻胶选择性地曝光；接着对光刻胶显影，于是就完成了从版图上到硅片的图形转移。对光刻技术分辨率、曝光视场、图形放置精度、产率和缺陷密度等方面的要求使得光刻成为主流微电子制造过程中最复杂、昂贵和关键的工艺。 分辨率是指能精确转移到衬底表面光刻胶上的最小特征尺寸，是光学光刻工艺中重要的系统指标，提高光学光刻的分辨率对提高光学光刻的质量至关重要。 正文 提高分辨率的