55所封装部产品手册.pdf

产品手册 射频功率器件外壳 RF power transistor package 基于低方阻共烧金属化和高热导率热沉技术，可提供用于封装Si-LDMOS\VDMOS、GaAs-FET\HEMT及宽 禁带半导体FET\HEMT等各类射频功率器件的外壳。经多物理场协同仿真和微波传输特性测试，产品具备极佳 的微波传输和散热能力。 Package for RF power transistors, including Si-LDMOS\VDMOS、GaAs-FET\HEMT and wide- band-gap semiconductor FET/HEMT, are provided basing on our low-electrical-resistance ceramic metallization and high-thermal-conductivity heat-sink technologies. Excellent microwave and heat dissipation performance is guaranteed by multi-physics coupling simulation and S-parameters measurement. 典型结构 产品型号 页码 产品型号 页码 C97-1 C161-4 C129-5 C164-1  覆盖Ku以下全波段，工作频带内VRSW≤1.3，IL≤0.3dB  采用钨铜、钼铜、CMC及铜金刚石等高性能热沉，可满足KW级器件的散热 金属墙—陶瓷绝缘子 需求 产品型号 页码 产品型号 页码 C312-1 JY02F007 JY02F002 JY02F008 JY02F005 JY06F602 陶瓷墙—金属热沉  满足S及以下波段使用，引线电阻可低至10mΩ  采用复合材料作为金属热沉，芯片安装区平面度≤20μm,连续波输出可达 200W 产品型号 页码 产品型号 页码 H102-6 H106-12 H102-13 H127-3 H106-1 H1274  满足C及以下波段使用，引线电阻可低至15mΩ 陶瓷墙—BeO/AlN热沉 采用 或 作为热沉，热沉表面金属化图形精度高，热导率≥ .  BeO AlN 180W/m K 02/03 功率模块外壳