igt3135m135-datasheet(微波射频的芯片资料).pdfVIP

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2020-07-08 发布于北京
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Part Number: IGT3135M135 – IGT3135M135S Integ a r Integra TECHNOLOGIES, INC. S-Band Radar 50Ω Transistor - GaN ■ GaN on SiC HEMT Technology ■ POUT-PK = 135W @ 300us/10%/46V ■ 3.1-3.5GHz Instantaneous Operating Frequency Range ■ 50Ω Internally Impedance Matched Device ■ Depletion Mode Device ■ Negative Gate Voltage and Bias Sequencing Required ■ Metal Based Package Sealed With Ceramic-Epoxy Lid ■ Gold Metallization System: Chip - Wire Bond - Package ■ Package Size Bolt Down: W=0.800″(20.32mm), L=0.400″(10.16mm) ■ Package Size S(earless): W=0.400″(10.16mm), L=0.400″(10.16mm) ■ 100% High Power RF Tested in Broadband RF Test Fixture PARAMETER SYM MIN TYP MAX UNITS TEST CONDITIONS DC ELECTRICAL SPECIFICATIONS Drain Leakage Current ID-OFF -- 1.0 -- mA VDS=50V, VGS=-8V, TF1, S1 Gate Threshold Voltage V -- -2.8 -- V V =5V, I =100mA, T , S1 GS-TH DS D F1 RF ELECTRICAL SPECIFICATIONS Input Return Loss IRL -18 -10 -7 dB POUT1, V1, IDQ1, PW1, DF1, F1, F2, F3, TF1, S1 Power Gain Gp 12.5 13.5 15.5 dB POUT1, V1, IDQ1, PW1, DF1, F1, F2, F3, TF1, S1 Drain Efficiency ND 50