光伏电池金刚线wafer相关工艺技术与PERC简介 for 非技术部门.ppt

? DW 相关工艺 ? 湿法黑硅之太湖条例： ? 第二条 本条例适用于本省行政区域内太湖流域地表水体的污染防治。太湖流域包 括太湖湖体， 苏州市、无锡市、常州市和丹阳市 的全部行政区域，以及句 容市、高淳县、溧水县行政区域内对太湖水质有影响的河流、湖泊、水库、 渠道等水体所在区域。 ? 第四十五条 太湖流域一、二、三级保护区禁止下列行为 ：（一） 新建、改建、扩建 化 学制浆造纸、制革、酿造、染料、印染、电镀 以及其他排放含磷、氮等污 染物的企业和项目 ；（二）销售、使用含磷洗涤用品；（三）向水体排放 或者倾倒油类、酸液、碱液、剧毒废渣废液、含放射性废渣废液、含病原 体污水、工业废渣以及其他废弃物；（四）在水体清洗装贮过油类或者有 毒有害污染物的车辆、船舶和容器等；（五）使用农药等有毒物毒杀水生 生物；（六）向水体直接排放人畜粪便、倾倒垃圾；（七）围湖造地； （八）违法开山采石，或者进行破坏林木、植被、水生生物的活动；（九） 法律、法规禁止的其他行为。 ? DW 相关工艺 ? 湿法黑硅其他： ? DW 相关工艺 ? 干法黑硅：增加两站 1 、 DW 原硅片 2 、酸制绒后 4 、后清洗 3 、 RIE 后 ? DW 相关工艺 ? 干法黑硅：增加两站 top view side view(viewed at 30 ° to the normal) SF6 等离子含有 F+ ， SF+ ， SF3+ ， SF5+ 等，加入 O2 后，等离子中含有 O* 。负压下， SFx+ (x ≤ 5) 、 F+ 注入 Si 中，生成 SiF4 挥发掉。 加入 O2 ， O* 与 Si 反应生成 SiOx ，由于 Si – F 键能 (129.3 kcal/mol) 比 Si – O (88.2 kcal/mol) 大， SiOx 与 SFx+(x ≤ 5) 、 F+ 反应生成 SixOyFz 。 离子轰击下，一些 SixOyFz 离开 Si ，随后 Si 被 SFx+(x ≤ 5) 和 F+ 刻蚀。 黑硅的多孔和针状结构在 SFx+(x ≤ 5) 和 F+ 离子刻蚀、 SixOyFz 钝化以及离子轰击的竞 争下形成。 ? DW 相关工艺 ? 外观对比： ? DW 相关工艺 ? 组件对比： ? DW 相关工艺 ? 工艺对比 solution 优势 劣势 additive 1 、 无需再投入设备 2 、 TX 仅需要增加添加剂 3 、不存在环评问题 4 、较多公司已经量产 1 、效率会低 0.05~0.15% 2 、部分 客户 仅收自己 Cell 厂产品 3 、 GCL 仅要 18.4% 以上， 低效部分 需要处理 4 、偏亮有轻微晶花 5 、后续产生使用添加剂的额外 cost SMD pre-treatment 1 、 外观佳 ，与常规工艺相近 2 、 无环评问题 3 、后续制程工艺与常规相同，生产较好衔接及控制 4 、后续制程无额外耗材或添加剂使用 1 、需要投入 新设备 ， 95W 欧元 / 台 2 、大陆没有量产设备 3 、无效率增益 4 、增加 runing cost 时创 Pre-treatment 1 、效率提高 -0.05~+0.2% 2 、外观介于 additive 与砂浆片 3 、应不存在过高投入问题 1 、破片率高，待克服 2 、具体技术处于保密阶段，需要持续跟进 购买黑硅 wafer 1 、 无需再投入设备 2 、无环评问题 3 、可提高效率 0.1~0.4% 4 、 GCL （ RCT tank-type 设备 纳鑫添加剂）已量产 5 、轻微晶花，比 NK 直接法接近常规电池 6 、后续制程无额外耗材或添加剂使用 1 、 CTM 稍大， 组件未见明显功率 效益 2 、 wafer 价格 与砂浆片一致 3 、 GCL 产能较小（ 3 台），大量采购需要提前预定 4 、部分客户仅收自己 Cell 厂产品 5 、稍亮有轻微晶花 6 、来料检验未找到合适方法， 批次间 效率 波动 稍大 tank-type 1 、部分公司已经量产 2 、可提高效率 0.1~0.5% 3 、轻微晶花，比 NK 直接法接近常规电池 1 、需要投入新设备￥420W/台，投入高 2 、运行成本较高：能耗、用水量 3 、需考虑银离子、氨氮排放等相关环保问题 ( 需增加额外处理费用 ) 4 、换酸周期、批次差异还有进步空间 5 、相比常规电池， CTM 稍大 6 、设备产能尚未完全达到设计要求 7 、因使用不同现况制程之添加剂， running cost 增加 8 、部分客户仅收自己 cell 厂产品 9 、 技术路线多 （ Jet 、纳鑫、时创、普扬科技等） RCT roller-type 1 、能耗低、水用量、化学品用量少： CoO 低 2 、无双