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On the control of coalescence and formation of GaN
nanopyramids by growth template patterns using multiple
exposure nanosphere‐lens lithography (MENSLL)
Yonghui Zhang
Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices
School of Electronics and Information Engineering, Hebei
University of Technology
Outline
• Research Background
• The research on effects of fill factor and
coalescence
• The research on the effect of SiO2 opening array
• Conclusion
1. Research Background
The advantages of Core‐shell LEDs : high crystal
quality, large emitting area, non‐polar or semi‐polar
planes, high light extracted efficiency.
The EL spectrum of nanopyramid LED
(c)‐(h) Monochromatic CL images at the
given emission wavelength
Advanced Materials 54,5364 (2011 ) 3
Applied. Physics. Letter 103, 241107 (2013)
The growth evolution of n‐GaN nanopyramid, I‐V corresponding to grown time of 1.5, 2, 3, 4, and 130 min.
(d) Pyramids grown at 950 ℃in nitrogen ambient. (e) Pyramids
grown at 950 ℃in hydrogen ambient. (f ) Pyramids grown at
1060℃in hydrogen ambient with a TMG flow r
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