如何控制和和提高单晶硅片质量.ppt

LNGi隆县 We are dedicated to silicon industry 如何控制和提高 单晶硅片质量 2007年12月   LNGi隆县 We are dedicated to silicon industry 内容 概要 硅材料在光伏产业链的位置 单晶硅片质量影响因素 新工艺路径 关键意识 LONGI质量控制过程简介 ■有待改进的工作 认识误区 总结及期望   LNGi隆县 We are dedicated to silicon industry 概要 国际市场对中国太阳能光伏产品质量的不 直伴随着中国 中国太阳能光伏产业链上的尤含家全业将面临产重的爱展甚室 硅片作为这个链条 环节,其产品 影响着太阳能电池组件的内在品质 单晶硅片的品质对太阳能电池组件品质的相关性在两个层面上 体玛 过改变大的工艺路线实现对太阳能电池组件品 良性影响的方法,如提 统的掺棚CZ单晶硅片,通过改善硅片木身的内在特性,来实现 高的光电转换效率,避免或大幅度减少衰减效应,从而为获得 的情况下(前主要是Cz法),通过此环节中原料处理过程 过程誉硅片加工过程的有效控制现此正路线下质 量有保 障的单晶硅 从而使太 阳能电池 组件的质 量能纳入 控 游除图际场对中国制造的不良印象,从而提高中国光伏 国际   LNGi隆基 We are dedicated to silicon industry 硅材料在光伏产业链的位置 基本功能材料 产业链的中上游 对产业链最终产品的内在质量起决定性影响 目前是主要的成木影响因素,长期看不构成对成本 的重要影响 http://www.longi-silie  LNGi隆县 We are dedicated to silicon industry 单晶硅片质量影响因素 ●少子寿命 1、纯度 ●碳含量 ●径向电阻率不均匀性(补偿度) 2、晶体缺陷 ●晶界、位错、孔洞 热应力、棒加工表面质量 及生长工艺控制●电阻率参数控制 ●线痕及崩缺 3、硅片加工缺陷●表面清洗质量 ●厚度参数控制   LNGi隆县 We are dedicated to silicon industry 单晶硅片质量影响因素 各生产环节对硅片质量影响程度表 硅片参数 原材料 单晶生长硅片加工硅棒加工 型号、掺杂剂(P/B 晶向100±3° 外形尺寸 电阻率范围 径向电阻率不均匀性 少数载流子寿命 碳含量 氧含量 位错/晶界 厚度范围 总厚度变化(TTV 弯曲度(BOW 弯曲度2 崩边缺口 表面质量(线痕沾污 con. com  LNGi隆县 We are dedicated to silicon industry 单晶硅片质量影响因素 对电池转换效率的影响 ◆少子寿命 ●纯度 ◆碳含量 电池转换效率 ◆应力片 ●晶体结构完整性 ◆位错 ◆其他参数 ●生产控制   LNGi隆县 We are dedicated to silicon industry 单晶硅片质量影响因素 对效率衰减的影响 ◆少子寿命 电池效率的衰减 ●纯度 ◆硼含量 ●晶体生长工艺 ◆应力片 ◆位错 晶体结构完整性   LNGi隆县 We are dedicated to silicon industry 新工艺路径 因硼氧复合体不可避免地导致效率衰减 低单晶硅中硼、氧含量的目标出现 2新 方法(PK常规的掺硼Cz单晶硅) MCZ 掺镓单晶硅 掺磷单晶硅的应用   LNGi隆县 We are dedicated to silicon industry 1000 当 B-dop Cz-Si Ga-dop Cz-SI P-dop c B-d。p. MCz.Si 1.0 2cm 1.22cm 0.6 Qcm 2 scm [O1=14 ppm [01=19 ppm [O, =16 ppm [O=1.5 ppm Figure 7: Measured carrier lifetimes of of B, Ga-, and P-doped Cz-Si and B-doped MCz-Si before and after light soaking( data taken from Refs. 12. 27 HNG AND STRATEGIES FOR ITS AVOIDANCE Jan Schmidt and Rudolf Hezel