年产10000吨超净高纯试剂项目建议书最新.pdf

发展超大规模集成电路用 超净高纯试剂的项目 （一）项目介绍 1.超净高纯试剂－微电子技术的支柱 微电子技术主要是指用于半导体器件和集成电路 (IC)微细加工制作的一系列蚀刻 和处理技术,其中集成电路,特别是大规模及超大规模集成电路的微细加工技术又是微 电子技术的核心,是电子信息产业最关键、最为重要的基础。微电子技术发展的主要途 径之一是通过不断缩小器件的特征尺寸,增加芯片的面积,以提高集成度和速度。自 20 世纪 70 年代后期至今,集成电路芯片的发展基本上遵循 GordonEM 预言的摩尔定律,即每 隔 1.5年集成度增加 1倍,芯片的特征尺寸每 3 年缩小 2 倍,芯片面积增加约 1.5倍,芯片 中晶体管数增加约4 倍,也就是说大体上每 3 年就有一代新的 IC 产品问世。 在国际上,1958 年美国首先研制成功集成电路开始,尤其是 20 世纪 70 年代以来,集 成电路微细加工技术进入快速发展的时期,这期间相继推出了 4、16、256K;1、4、16、 256M;1、1.3、1.4G 的动态存贮器。进入 20 世纪 90 年代后期,IC 的发展更迅速,竞争更 激烈。美国的 Intel 公司、AMD 公司和日本的 NEC 公司这 3 个 IC 生产厂家的竞争尤为 激烈,1999 年 Intel 公司、AMD 公司均实现了 0.25Lm 技术的生产化,紧接着 Intel 公司 在 1999 年底又实现了 0.18Lm 技术的生产化,AMD 公司也在紧追不舍。到 2001 年上半 年,Intel 公司实现了 0.13Lm 技术的生产化,而到 2001 年的 2 季度末, 日本的NEC 公司宣 布突破了 0.1Lm 工艺技术的难关,率先成功研发出 0.095Lm 的半导体工艺技术,现已开始 接受全球各地厂商的订货,并将于 2001 年的 11 月开始批量生产。因此,专家们认为世界 1 第 页 共 17 页 半导体工艺技术的发展将会加速,半导体制造厂商将会以更先进的技术加快升级换代以 适应新的市场要求。 超净高纯试剂（Ultra-clean and High-purity Reagents）在国际上通称为工艺化 学品（Process Chemicals），美欧和中国台湾地区又称湿化学品（Wet Chemicals）， 是超大规模集成电路（即俗称的“芯片”）制作过程中的关键性基础化工材料之一， 主要用于芯片的清洗、蚀刻，另外超净高纯试剂还用于芯片掺杂和沉淀工艺。超净高 纯试剂的纯度和洁净度对集成电路的成品率、电性能及可靠性均有十分重要的影响。 超净高纯试剂具有品种多、用量大、技术要求高、贮存有效期短和腐蚀性强等特点， 它基于微电子技术的发展而产生，一代IC 产品需要一代的超净高纯试剂与之配套。它 随着微电子技术的发展而同步或超前发展，同时它又对微电子技术的发展起着制约作 用。 依照超净高纯试剂的用途，可以将其划分为光刻胶配套试剂、湿法蚀刻剂和湿法 工艺试剂。如果依其性质可以分为：无机酸类（如盐酸、硝酸、硫酸、氢氟酸、磷酸 等）、无机碱类（如氨水等）、有机溶剂类（如无水乙醇、冰乙酸、三氯乙烯、丙酮 等）和其他超净高纯试剂（如双氧水、氟化氢铵等）。有关资料显示，超净高纯有机 溶剂在半导体工业中的消耗比例大致占10-15%，其中有机类化学品的需求量在微电子 化学品中占总体积的3%以上，市场需求量相当可观。 在超净高纯试剂的发展方面，与微电子技术另一重要材料－光刻胶相似，不同线 宽的芯片必须使用不同规格的超净高纯试剂进行蚀刻和清洗。超净高纯试剂的质量关 键在于控制其所含的金属离子的多少和试剂中尘埃颗粒的含量，对于线宽较小的超大 规模集成电路，几个金属离子或灰尘就足以报废整个电路。 1975 年，国际半导体设备与材料组织（SEMI）制定了国际统一的超净高纯试剂标 2 第 页 共 17 页 准，如表1 所示。目前，国际上制备SEMI-C1 到SEMI-C12 级超净高纯试剂的技术都已 经趋于成熟。随着集成电路制作要求的提高，对工艺中所需的液体化学品纯度的要求 也不断提高。技术