集成电路的制造工艺流程.资料讲解.ppt

集成电路的制造工艺流程.;半导体元件制造过程可分为前段（;一、晶圆处理制程 晶圆处理制程;二、晶圆针测制程 经过Wafe;三、IC构装制程 IC構裝製程;半导体制造工艺分类PMOS型双;半导体制造工艺分类一 双;半导体制造工艺分类二 M;半导体制造工艺分类三 B;双极型集成电路和MOS集成电路;半导体制造环境要求主要污染源：;半导体元件制造过程前段（Fro;典型的PN结隔离的掺金TTL电;横向晶体管刨面图CBENPPN;纵向晶体管刨面图CBENPCB;NPN晶体管刨面图ALSiO2;1.衬底选择P型Si ;第一次光刻—N+埋层扩散孔1。;外延层淀积1。VPE（Vapo;第二次光刻—P+隔离扩散孔在衬;第三次光刻—P型基区扩散孔决定;第四次光刻—N+发射区扩散孔集;第五次光刻—引线接触孔　　Si;第六次光刻—金属化内连线：反刻;CMOS工艺集成电路;CMOS集成电路工艺--以P阱;CMOS集成电路工艺--以P阱;CMOS集成电路工艺--以P阱;CMOS集成电路工艺--以P阱;CMOS集成电路工艺--以P阱;CMOS集成电路工艺--以P阱;CMOS集成电路工艺--以P阱;CMOS集成电路工艺--以P阱;CMOS集成电路工艺--以P阱;CMOS集成电路工艺--以P阱;CMOS集成电路工艺--以P阱;CMOS集成电路工艺--以P阱;CMOS集成电路工艺--以P阱;集成电路中电阻1ALSiO2R;集成电路中电阻2SiO2RN+;集成电路中电阻3基区沟道电阻S;集成电路中电阻4外延层电阻Si;集成电路中电阻5MOS中多晶硅;集成电路中电容1SiO2A-P;集成电路中电容2MOS电容Al;微电子制造工艺;IC常用术语 圆片：硅片芯片(;IC工艺常用术语净化级别：Cl;生产工厂简介PSI;Fab Two was com;Here in the Fab;Another view of;Here we see a t;As we look in t;Here we can see;Process Special;2,500 additiona;Currently our P;Accuracy in met;One of two SEM ;Here we are loo;Above you are l;集成电路（Integrated;MOS IC及工艺MOSFE;P－衬底n+n+漏源栅栅氧化层;N－衬底p+p+漏源栅栅氧化层;CMOS CMOS：Comp;N-SiP+P+n+n+P-阱;pwellactivepoly;pwellPwellActiv;N－type SiSiO2;N－type SiSiO2;N－type SiSiO2;N－type SiSiO2;pwellactivePwel;N－type SiSiO2;N－type SiSiO2;N－type SiSiO2;N－type SiSiO2;N－type SiSiO2;N－type SiSiO2;activepwellpoly;N－type SiSiO2;N－type SiSiO2;N－type SiSiO2;N－type SiSiO2;activepwellpoly;N－type SiSiO2;N－type SiSiO2;activepwellpoly;N－type SiSiO2;无标题;无标题;无标题;无标???;无标题;外延生长;隔离层扩散;基区扩散;发射极扩散;氧化;接触孔;金属层;定型金属层;此课件下载可自行编辑修改，仅供