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电子技术基础 (模拟篇 ) 第一章 半导体二极管 一、单选题 1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 2. 在 PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当 PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂 移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 3. 设二极管的端电压为 U，则二极管的电流方程为（ ） A. U B. U U T C. U U T U U T －1 I S e I Se I S(e －D. I Se 1) 4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。 A B C D 5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足 ( )。 A.ID=0 B.ID<IZ且 ID>IZM C. IZ> ID > IZMD. IZ< ID < IZM 6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不 同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。 A. 直流，相同，相同 B. 交流，相同，相同 C. 直流，不同，不同 D. 交流，不同，不同 12. 在 25oC 时，某二极管的死区电压 U th≈ 0.5V ，反向饱和电流 I S≈ 0.1pA ，则在 35oC 时，下列哪组 数据可能正确： （ ）。 U th≈ 0.525V ，IS≈ 0.05pA C U th≈ 0.475V ，IS≈ 0.05pA  Uth≈ 0.525V ， IS≈ 0.2pA D U th≈ 0.475V ，IS≈ 0.2pA 二、判断题 1. PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （ ） 2. 二极管在工作电流大于最大整流电流 I F 时会损坏。 （ ） 3. 二极管在工作频率大于最高工作频率 f M 时会损坏。 （ ） 4. 二极管在反向电压超过最高反向工作电压 U RM 时会损坏。 （ ） 5. 在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。 （ ） 6. 因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ） 7. 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （ ） 三、填空题 1. 当温度升高时， 由于二极管部少数载流子浓度 ，因而少子漂移而形成的反向电流 ，二极 管反向伏安特性曲线 移。 2. 半导体稳压管的稳压功能是利用 PN 结的 特性来实现的。 3. 二极管 P 区接电位 端， N 区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二 极管截止，所以二极管具有 性。 4. 在本征半导体中掺入 价元素得 N 型半导体，掺入 价元素则得 P 型半导体。 5. PN 结在 时导通， 时截止，这种特性称为 。 6. 光电二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。 7. 发光二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。 8. 二极管按 PN 结面积大小的不同分为点接触型和面接触型， 型二极管适用于高频、小电流的 场合， 型二极管适用于低频、大电流的场合。 9. 二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。 10. 半导体中有 和 两种载流子参与导电，其中 带正电，而 带负电。 11. 本征半导体掺入微量的五价元素，则形成 型半导体，其多子为 ，少子为 。 12. PN 结正偏是指 P 区电位 N 区电位。 13. 温度升高时，二极管的导通电压 ，反向饱和电流 。 14. 普通二极管工作时通常要避免工作于 ，而稳压管通常工作于 。 15. 构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的 方能实现稳压。 16. 纯净的具有晶体结构的半导体称为 ，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为 。 17. 在 PN 结形成过程中，载流子扩散运动是 作用下产生的，漂移运动是 作用下产生的。 18. PN 结的电场对载流子的扩散运动起 作用，对漂移运动起 作用。 19. 发光二极管通以