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JT850-ESOP8
新一代微波雷达传感器专用芯片
产品概述
引脚排列
JT850 是专为微波感应模块应用而设计的
新一代数字和模拟混合处理芯片。
ESOP8
JT850 内部集成了特别设计的低失调运算
(底部有焊盘)
放大器、高输入电压低功耗稳压电路、数字逻
辑控制器、参考电压源、延时和封锁时间振荡
OP2N
1
8
GVCC
器等模块。
OP1O
2
7
VCC
OP1N
3
GND
TD
JT850 采用 ESOP8封装形式,外围应用线路
6
VC
4
5
OUT
仅需数个贴片阻容器件,无需外部稳压电路,
极大的简化外围线路,节省
PCB板空间,降低
整体 BOM成本,也适合所有热释电红外传感器
PCB 钢网的厚度推荐
0.2mm
产品的应用。
主要特点
输入电压:
5.1 ~ 24V
内置稳压模块,输出电压 5V
低待机功耗
特别优化设计的低失调和高益
运放大器,灵敏度高并能有效
抑制误触发
输出延时振荡器频率外部可调
内置封锁时间振荡器可重复触发
具有光敏控制功能
封装形式: ESOP8
典型应用
家庭、楼道、车库灯智能感应照明系统
智能感应监控、报警、门铃系统
人体感应数码相机,红外打猎相机等数
码系统
红外感应玩具
JT850-ESOP8
引脚功能
序号
符号
功能描述
1
OP2N
运放 2
输入
2
OP1O
运放 1
输出
3
OP1N
运放 1
输入
4
VC
禁止触发端, VC>0.2GVCC 时允许触发, VC<0.2GVCC 时禁止触发
5
OUT
控制信号输出端
6
TD
延时时间调节端
7
VCC
电源端
8
GVCC
稳压输出端
9
GND
接地端(底部焊盘)
电路功能框图
1
OPO 2
延时振荡器 6 TD
OPI 3 OP1 OP2 比较器
VC 4
数字控制器
0.2GVCC
VCC 7 5 OUT
LDO
GVCC 8
9
GND
图 1. 电路功能框图
JT850-ESOP8
最大额定值
参数说明
符号
数值范围
单位
输入电源电压
VCC
– 0.3 ~26
V
其他引脚电压
VIO
– 0.3 ~6.0
V
工作温度
TOPR
-20~70
℃
贮存温度
TSTG
-50~125
℃
注意: 如果器件运行条件超过上述各项最大额定值,可能对器件造成永久性损坏。上述参数仅是运行条件的极大
值,我们不建议器件在该规范范围外运行。如果器件长时间工作在绝对最大极限条件下,其稳定性可能会受到影
响。
电特性 (除特别说明外, V CC =12V , T A = + 25°C)
参数说明
符号
电源电压
V CC
静态电流
ICC
GVCC输出电压
GVCC
GVCC输出电流
IGVCC
输入失调电压
VOS
输入失调电流
IOS
开环电压增益
A VO1
共模抑制比
CMRR
内部固定增益
GA
运放输出高电平
V YH
运放输出低电平
V YL
OUT 端输出高电平电流
IOH
OUT 端输出低电平电流
IOL
封锁时间
TLOCK
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
5.1
24
V
30
μA
5.0
V
GV CC=4.5V
30
mA
50
mV
50
nA
R L =1.5M
60
dB
R L =1.5M
60
dB
40
dB
4.0
V
R L=500K
0.5
V
VOH =0.8GV CC
10
mA
VOL =0.2GV CC
10
mA
1.5
2
2.5
S
JT850-ESOP8
典型应用线路图
C2 C1
1μF
JT850
R1
C4
22μF
1
OP2N
GVCC
8
100k Ω
PIR
10nF
2
7
C5
R2
OP1O
VCC
VCC
D
R4
2MΩ
S
3
OP1N
TD
6
G
10μF
10k Ω
R5
4
5
VC
OUT
GVCC
1MΩ
GND
C3
9
C6
C7
R7
4.7nF
10μF
10nF
47k Ω
C7 2.2 μF
OUTPUT
CDS
图 2. JT850 - 典型应用线路图
功能描述
JT850 内置稳压电路,输入电压最高可达
24V,输出电压
5.0V,输出电流能为
30mA,可以为
PIR
供电。内部具有两级
PIR
信号运算放大器,运放电压增益及滤波特性外部可调,内部固定
40dB
增益,特别优化设计的高灵敏度运算放大器,能有效的抑制误触发。当运放输出的信号超过
芯片设定的阈值电压,延时振荡器立刻启动,
OUT
口输出高电平,延时周期结束后
OUT口输出低电
平。禁止触发端外接光敏三极管或者光敏电阻,用来判断白天还是黑夜。当 VC>0.2GVCC时,芯片
判断为夜晚,允许触发。当 VC<0.2GVCC时,芯片判断为白天,禁止触发, O
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