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FIR4N65BPG
Advanced N-Ch Power MOSFET
PIN Connection TO-251(I-PAK)
GeneralDescription
FIR4N65BPGis an N-channel enhancement mode power
MOS field effect transistor which is produced using Silan
proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The
improved planar stripe cell and the improved guard ring
terminal have been especially tailored to minimize on-state
1 2 3
resistance, provide superior switching performance, and
withstand high energy pulse in the avalanche and commutation
mode.
-- 2
These devices are widely used in AC-DC power suppliers, DC
DC converters and H-bridge PWM motor drivers.
1
Features
3
• 4A,650V,R ( )=2.3 Ω@V =10V
DS(on) typ GS
• Low gate charge
• Low Crss Marking Diagram
• Fast switching
• Improved dv/dt capability Y = Year
YAWW
A = Assembly Location
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