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《模拟电子技术》复习题一
一、填空题
1、在 N 型半导体中,多数载流子是 ;在 P 型半导体中,多数载流子
2、场效应管从结构上分为结型和 两大类,它属于 控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合, 可以在信号源与负载之间接入 (共 射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的 电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入 。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为 、 、
7、正弦波振荡电路通常由 , , 和
四部分组成。
选择题
选择题
1、利用二极管的( )组成整流电路。
A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性
2、P 型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的杂质半导体。
A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑
3、场效应管的漏极特性曲线如图
3、场效应管的漏极特性曲线如图A P 沟道增强型 MOS 型C N 沟道增强型 MOS 型
2-3 所示,其类型为 ( )场效应管
B P 沟道耗尽型 MOS 型 D N 沟道耗尽型 MOS 型
E N 沟道结型F P
E N 沟道结型
F P 沟道结型
UiB=50图2-2+D-215V + -+15V 8V + 图 2-1图2-1图2-2+14
Ui
B=50
图2-2
+
D-2
15V + -+15V 8V + 图 2-1
图2-1
图2-2
+1
4、有一R 晶体R管接在放大电路中, 今测2R得它的
V3=-1.4VR,试判别管子的三个管脚分2R别是(
R
R A-+ A11:-eUo1、 2:-+A2b、Uo+23:cUo2
C+ 1:+cA1、 2U:-o1b、-3A:2 eR
5、R集成运+放中2R间级的作- 用是(
A 提R 高共模抑制2比R
++24C RR提高放-大A3倍数
6、根++据42相位RR 平+ 衡条U-o件3A3,判断图
A +可4 能RR B+A 3 不U能o3
Re1
Re2
Re2
图2-5
Rf
Re1
=-1.2V,
2R )。
B-AR 41:c、+U-o24:e、3:Uob4
D+ 其它情-+况A4 +
2R R )。Uo
B2R 提高输入电Uo阻
D -提供过载保护
2-6 所示振荡电路中(- )发生振荡。
7、差模信号电压图是3-两1 个输入信号电压(
A 差 B 和R C图 3算-1术平均
8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值 U2=24V ,设二极管为
理想二极管,用直流电压表测得 RL 的电压值约为 21.6V,问电路的现象是 ( )。
A 正常工作情况 B RL 开路 C C 开路
D 一个二极管和 C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选(
A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联
)的值。
)负反馈。
10、设图 2-10所示电路中二极管 D1、D2 为理想二极管,判断它们是导通还是截止? ()
B D1 导通, D2 截止D D1
B D1 导通, D2 截止
D D1 截止, D2 截止
C D1 截止, D2 导通 三、判断题 ( ) 1、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。
( ) 2、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与 源极自偏相结合的偏置方式。
( ) 3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
( )4、用电流源代替 Re 后电路的差模倍数增加。
( ) 5、集成运放内部第一级是差分放大电路,因此它有两个输入端。
( )6、只有两个晶体管的类型相同(都为 NPN 管或都为 PNP 管时)才能组成复合 管。
( )7、RC 桥式振荡电路只要 Rf≤2R1就能产生自激振荡。
( ) 8、一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。
( ) 9、电压负反馈可以稳定输出电压。
( ) 10、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电。 四、分析题
电路如图所示:
(1)写出输入级、中间级、输出级的电路名称。
(2)电阻 R3 和二级管 D1、D2 的作用是什么?
( 3)静态时 T4 管射级电位 UE4 =?负载电流 IL =?
(4)动态时,若输出 VO 出现正负半周衔接不上的现象, 为何失真?应调哪个元件? 怎样调才能消除失真?
( 5)判断级间反馈为何种组态 ?深度负反馈时,电路的闭环增益应为多少 ? (6)求负载 RL上最大输出幅度 Vom和最大输出功率 Pom。(设 VCES=0V,RL=24Ω) (7)若 Rf=100k
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