模拟集成电路基础知识整理.pdf

当VGS 恒定时， gm 与VDS 之间的关系 gm 饱和区的跨导 ………………… .. DS V VGS VTH 当VDS 恒定时， gm 、 IDS 与VGS 之间的关系 通过对比可以发现， VDS 恒定时的弱反型区、强反型区、速度饱和区 GS 分别对应于当 V 恒定时的亚阈值区、饱和区、线性区（三极管区） 。 跨导 gm 在线性区（三极管区）与 VDS 成正比，饱和区与 VGS VTH 成正比 NMOS 1、截止区条件： VGS VTH 2、三极管区（线性区）条件： VTH VGD 电压电流特性： IDS n Cox W VGS VTH VDS 1VDS 2 L 2 3、饱和区条件： VTH VGD 1 W 2 电压电流特性： I DS n Cox V GS VTH (1 V DS ) 2 L dI D 4、跨导 : 就是小信号分析中的电流增益， gm dVGS W gm nCox VGS VTH L W gm 2 nCox IDS L 2 IDS gm VGS VTH 1 5、输出电阻就是小信号分析中的 r0 ： r 0 IDS PMOS 1、截止区 VGS VTHp 2、三极管区（线性区）条件： VTHP VDG 电压电流特性： IDS p Cox W VGS VTH VDS 1VDS 2 L 2 3、饱和区条件： VTHP V DG 1 W 2 电压电流特性： I DS pCox VGS V TH (1 V DS )