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作业 4
截止日期： 2015-5-13(14)
要求：写出步骤，独立完成
内容：第七章 1,2,3,4,5,6 节 , 第八章 1,2 节，第四章第 5 节
1． 电路图如下，已知 ，求 v O （10 分）
参考解答：因为： v=R*i=R*K/v 2 ；v3 =K*R;v= 3 K * R ;
3
vO=VS-v=VS- K * R ;
2． 电路图如下，已知： ，求 vB （10 分）
参考解答： I=V /(R +R +K/v )=v /R v (R +R )=V -K*R v =(V -K*R )/(R +R )
S A B B B B; B A B S B; B S B A B
求出下面电路的 Thevenin 等效电路，注意电路中包含一个 dependent 电压源，参数 α的单
位是欧姆。（ 15 分）
提示：计算 R 时， dependent source 不能设为 0，参考课本例 3.23 。
th
参考解答：先求 U
TH:
用节点法： I 1 2
=i+i ,U - α*i=i*R ;U =i *R
0 F 2 F 2;
（I0 2 1 2 0 1 2
-i)*R - α*i=i*R ;i=R *I /(R +R + α);
U TH=U2=i 1 2
*R =(I -i)*R =R *I *(R + α)/(R +R+ α);
F 2 0 2 2 0 1
其次求 R ：R =(R +α)*R /(R +R + α);
TH TH 1 2 1 2
3． 课本第八章练习 8.1 。（20 分）
参考解答： (1) V 2
O=VS-ID*R L=VS-0.5K(VI-VT) *R L;
(2) 增益 =-K*RL*(V I-VT);
(3)
4． 有一个 Gate 和 Drain 连接在一起的 MOSFET，它的参数是 VT 和 K。它的 drain-to-source
电压和 drain 电流分别用 v 和 i 表示（ 20 分）
R R
和 i 的关系表达式 (v ≥V
a. 写出该 MOSFET在饱和状态下
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