影响MOS管开关速度的因素.docx

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2021-03-02 发布于天津
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影响管开关速度的因素概述的原意是金属氧化物半导体场效应晶体管即以金属层的栅极隔着氧化层利用电场的效应来控制半导体的场效应晶体管在这里主要谈一下功率场效应晶体管即功率功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型但通常主要指绝缘栅型中的型简称功率结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管其特点是用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单需要的驱动功率小开关速度快工作频率高热稳定性优于但其电流容量小耐压低一般只适用于功率不超过的电力电子装置功率的种类按导电沟道可分为沟道和沟道按栅极电压幅值可分为耗尽型当栅极电压为零

影响 MOS管开关速度的因素 1. 概述 MOSFE的T 原意是： MO（S Metal Oxide Semiconductor 金属氧化物半导体）， FET （Field Effect Transistor 场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（ S）的场效应晶体管。在这里主要谈一下功率场效应晶体管即功率 MOSFE。T 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型 , 但通常主要指绝缘栅型中的 MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET ）,简称功率 MOSFE（TPower MOSFE）T 。结型功率场效应晶体