原创力文档- 1、本文档共19页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
第三章 半导体中的 载流子统计分布;第三章 半导体中的载流子统计分布;在热平衡条件下，电子在不同能量的量子态上统计分布几率一定。根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计律。
费米分布函数：能量为E的一个量子态被一个电子占据的几率f(E); 费米分布函数f(E)
电子的统计分布函数;Semiconductor Physics;
(E-EF); 电子的费米统计分布函数;导带中的电子数：;?函数：;导带电子浓度 (T=300 K, k0T=0.026eV);空穴状态密度有效质量;Semiconductor Physics;第三章 半导体中的载流子统计分布;Semiconductor Physics;Semiconductor Physics;本征载流子浓度ni与禁带宽度Eg
T=300K; 注意点：; 本征费米能级;Semiconductor Physics
文档评论（0）