电子技术（第2版）课件第1章常用半导体器件-修改.ppt

电子技术（第2版）课件第1章常用半导体器件;1.1 晶体二极管 1.2 二极管的应用电路 1.3 晶体三极管 1.4 场效应晶体管 1.5 晶闸管 1.6 实验 仪器的使用 1.7 实训 半导体器件的识别和使用;(2) 反向偏置 ;1.1.2 半导体二极管的结构及型号 ; 2AP9二极管的名称含义： 2──代表二极管； A──代表器件的材料。A为N型Ge（B为P型Ge，C为N型Si，D为P型Si）； P──代表器件的类型。P为普通管（Z为整流管，K为开关管）； 9──用数字代表同类器件的不同规格。;1.1.3 半导体二极管的特性 ;1.1.3 半导体二极管的特性 ;1.1.4 二极管主要参数 ;【例1-1】由两个二极管构成的电路如图1-12（a）所示，输入信号u1和u2的波形如图（b）所示。忽略二极管的管压降，画出输出电压uo的波形 ;解： （1）当u1=0，u2=0时，VD1、VD2均截止，uo=0。 （2）当u1=0，u2=U2时，VD1截止、VD2导通，uo=U2。 （3）当u1=U1，u2=U2时，∵U1U2，∴VD1导通、VD2截止，uo=U1。 （4）输出uo波形如图1-13所示。;家庭生活中使用的家用电器，很多都带有显示屏，而显示屏中 显示数字、符号的器件就是二极管，如图1-15所示 。;1.2.1 常用各类二极管实物及应用 ;1.2.1 常用各类二极管实物及应用 ;1.2.1 常用各类二极管实物及应用 ;1.2.2 限幅电路 ;1.3.1 晶体三极管的结构 ;1.晶体三极管的结构、分类及型号 ;3. 三极管的型号 ;1.3.2 晶体三极管的放大原理 ;2.三极管的电流放大作用;2.三极管的电流放大作用;【例1-3】 据表1-2的实验数据，试计算这只三极管在IB由0.01mA变化到0.02mA时的电流放大系数。 解： 由表1-2可知，当IB由0.01mA变化到0.02mA时，IC从0.56mA上升到1.14mA。;1.3.3 晶体三极管的特性 ;2.三极管的输出特性;【例1-4】 根据各个电极的电位，说明图1-30所示三极管的工作状态。 解： 根据三极管各个电极的电位，可知图1-30（a）的发射结和集电结都反向偏置，所以这个三极管工作在截止状态。图1-30（b）的发射结正向偏置，集电结反向偏置，所以这个三极管工作在放大状态。;1.3.4 晶体三极管主要参数 ;场效应晶体管（FET）是一种电压控制型器件，它利用电场效应来控制半导体中多数载流子的运动，以实现放大作用。场效应???不仅输入电阻非常高（一般可达到几百兆欧到几千兆欧）、输入端电流接近于零（几乎不向信号源吸取电流），而且还具有体积小、重量轻、噪声低、省电、热稳定性好、制造工艺简单、集成容易等优点，是放大电路中理想的前置输入器件。 场效应管也是由PN结构成，按结构不同可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOS）两种；按导电沟道可分为N沟道和P沟道两种，在电路中用箭头方向区别。目前广泛应用的是MOS场效应管 。;1.4.1 结型场效应管 ;2.结型场效应管的伏安特性 ;1.4.2 绝缘栅场效应管 ;2.绝缘栅场效应管的伏安特性 ;3.场效应管主要参数 ;1.4.3 场效应管的使用 ;晶闸管是在三极管基础上发展起来的一种大功率半导体器件，它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。 晶闸管也像二极管那样具有单向导电性，但其导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、调压及开关等，具有体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、操作方便、寿命长、容量大（正向平均电流达千安，正向耐压达千伏）等特点 。;1.5.1 单向晶闸管的工作原理 ;1.5.1 单向晶闸管的工作原理 ;2.单向晶闸管的工作原理;3.晶闸管型号及其含义 ;1.5.2 晶闸管的伏安特性和主要参数 ;2.单向晶闸管的主要参数;1.5.3 晶闸管可控整流电路 ;2.单相半波可控整流电感性负载与续流二极管电路 ;3.单相半控桥式整流电路 ;1.5.4 双向晶闸管;2.双向晶闸管的工作原理 ;1.5.5 晶闸管的触发电路 ;2.单结晶体管的触发电路 ;1.5.6 晶闸管的保护与应用 ;2.晶闸管的应用 ;1.6 实验 仪器的使用;二 基础知识 ;二 基础知识 ;二 基础知识 ;1.使用万用表测量电压和电流； 2.练习使用电子仪器。;③ 调节“扫描范围”及“扫描微调”旋钮，使示波器荧光屏上显示的波形增加或减少（如在荧光屏上得到1个、3个或6个完整的正弦波），熟悉“扫描范围”及“扫描微调”旋钮的作用。 ④ 用晶体管毫伏表测量信号发生器的输出电压。将信号发生