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89C51单片机中文资料 89C51单片机中文资料 PAGE / NUMPAGES 89C51单片机中文资料 89C51单片机中文资料 AT89C51是一种带 4K 字节闪耀可编程可擦除只读储存器（ FPEROM— Falsh Programmable and Erasable Read Only Memory ）的低电压，高性能 CMOS8位微办理器， 俗称单片机。该器件采纳 ATMEL高密度非易失储存器制造技术制造， 与工业标准的 MCS-51指令集和输出管脚相兼容。 因为将多功能 8 位 CPU和闪耀储存器组合在单个芯片中， ATMEL的 AT89C51是一种高效微控制器，为好多嵌入式控制系统供给了一种灵巧 性高且价廉的方案。 优选 1．主要特征： ·与 MCS-51 兼容 4K 字节可编程闪耀储存器寿命： 1000 写/ 擦循环 数据保存时间： 10 年 ·全静态工作： 0Hz-24Hz ·三级程序储存器锁定 128*8 位内部 RAM 32 可编程 I/O 线 ·两个 16 位准时器 / 计数器 5 其中止源·可编程串行通道 优选 ·低功耗的闲置和掉电模式 ·片内振荡器和时钟电路 2．管脚说明 ： VCC：供电电压。 GND：接地。 P0 口：P0 口为一个 8 位漏级开路双向 I/O 口，每脚可汲取 8TTL 门电流。当 P1 口的管脚第一次写 1 时，被定义为高阻输入。 P0 能够用 于外面程序数据储存器， 它能够被定义为数据 / 地点的第八位。 在 FIASH 编程时， P0 口作为原码输进口，当 FIASH进行校验时， P0 输出原码， 此时 P0外面一定被拉高。 P1 口： P1 口是一个内部供给上拉电阻的 8 位双向 I/O 口， P1 口缓冲器能接收输出 4TTL门电流。 P1 口管脚写入 1 后，被内部上拉为 高，可用作输入， P1 口被外面下拉为低电平常， 将输出电流， 这是因为 内部上拉的缘由。在 FLASH编程和校验时， P1 口作为第八位地点接收。 P2 口： P2 口为一个内部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口， P2 口缓 冲器可接收，输出 4 个 TTL 门电流，当 P2口被写“ 1”时，其管脚被内部上拉电阻拉高， 且作为输入。 并所以作为输入时， P2口的管脚被外面拉低，将输出电流。 这是因为内部上拉的缘由。 P2口当用于外面程序储存器或 16 位地点外面数据储存器进行存取时， P2 口输出地点的高八位。在给出地点“ 1”时，它利用内部上拉优势，当对外面八位地点数据存 储器进行读写时， P2 口输出其特别功能存放器的内容。 P2 口在 FLASH 优选 编程和校验时接收高八位地点信号和控制信号。 P3 口： P3 口管脚是 8 个带内部上拉电阻的双向 I/O 口，可接收输出 4 个 TTL 门电流。当 P3 口写入“ 1”后，它们被内部上拉为高电平，并用作输入。 作为输入，因为外面下拉为低电平， P3 口将输出电流（ILL ）这是因为上拉的缘由。 P3 口也可作为 AT89C51的一些特别功能口，以下表所示： 口管脚 备选功能 P3.0 RXD（串行输进口） P3.1 TXD（串行输出口） P3.2 /INT0 （外面中止 0） P3.3 /INT1 （外面中止 1） P3.4 T0 （记时器 0 外面输入） P3.5 T1 （记时器 1 外面输入） P3.6 /WR（外面数据储存器写选通） P3.7 /RD （外面数据储存器读选通） P3 口同时为闪耀编程和编程校验接收一些控制信号。 RST：复位输入。当振荡器复位器件时，要保持 RST脚两个机 器周期的高电平常间。 ALE/PROG：当接见外面储存器时， 地点锁存同意的输出电平用于锁存地 址的地位字节。 在 FLASH编程时期，此引脚用于输入编程脉冲。 在平常， 优选 ALE端以不变的频次周期输出正脉冲信号， 此频次为振荡器频次的 1/6 。所以它可用作对外面输出的脉冲或用于准时目的。 但是要注意的是：每当用作外面数据储存器时，将跳过一个 ALE脉冲。如想严禁 ALE的输出可在 SFR8EH地点上置 0。此时， ALE 只有在履行 MOVX，MOVC指令是 ALE 才起作用。此外，该引脚被稍微拉高。 假如微办理器在外面履行状态 ALE 严禁，置位无效。 /PSEN：外面程序储存器的选通讯号。在由外面程序储存器取指时期，每个机器周期两次 /PSEN有效。但在接见外面数据储存器时，这两次有效的 /PSEN信号将不出现。 /EA/VPP：当 /EA 保持低电平常，则在此时期外面程序储存器 （0000H-FFFFH），无论能否有内部程序储存器。注意加密方式 1 时， /EA 将内部锁定为 RESET；当/EA 端保持高