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saber 下 MOSFET 驱动仿真实例
设计中，根据 IXYS 公司 IXFN50N80Q2 芯片手册中提供的 ID-
VDS ，ID-VGS 和 Cap-VDS 等特性曲线及相关参数，利用 saber 提供的 Model
Architect 菜单下 Power MOSFET Tool 建立 IXFN50N80Q2 仿真模型，图 5-1
所示 MOSFET DC CharacterisTIcs 设置，图 5-2 所示 MOSFET Capacitance
CharacterisTIcs 设置， Body Diode 参数采用默认设置。
首先验证 Rg 、Vgs 、Vds 关系，仿真电路如图
这里电路中加入了一定的电感 Lg ，仿真电路寄生电感，取值是
0.05uH ，有没有什幺依据 ? 我当时是想导线计算电感的时候好像是要加上
0.05u ，就放了个 0.05u 。
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