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霍耳效应; 置于磁场中的载流体, 若电流方向与磁场垂直, 则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场, 这种现象是霍普金斯大学研究生霍耳于1879年发现的, 后被称为霍耳效应。霍耳效应可以测量半导体材料的电学参数,如载流子浓度、电导率、迁移率等。不仅如此, 霍耳元件作为敏感元件之一,还可以作为传感器的探头,被广泛用于非电学量的测量,在 自动控制和信息处理等方面具有广阔的应用前景。 ; ① 了解霍耳效应实验原理以及测量磁场的原理和方法;
② 学习用 “对???测量法” 消除副效应的影响, 测量试样的
③ 确定试样的导电类型、 测量载流子浓度以及电导率和迁移率。; 当电流方向 为x,磁场方向为z,假设电子为载流子,则电子因受到水平方向的电场力作用会沿着x反方向作直线运动,而运动的电荷在磁场中会受到竖直方向的洛伦兹力的作用,因此电子会向下偏转、聚集,从而在逆y方向产生电场EH;若空穴为载流子,则产生的电场EH为y方向。在霍耳原件上下两面之间连接电压表,根据电压表的示数的符号可以判断半导体的导电类型。
; ; 实验原理;
;数据处理及思考题;数据记录及处理;表2,对称法测量VH~IM关系
Is=3.0(mA);KH=374(mV/mA ?T);数据记录及处理;数据记录及处理;;注意事项
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