【总结】模电100个知识点总结.docx

精品word学习资料可编辑 名师归纳总结——欢迎下载 模电 100 个学问点总结 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V ；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为 _0.2_V； 2，二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 ； 3，二极管的最主要特性是 单向导电性 ；ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 ； 4，二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必需加入一个 电阻 ；5，电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中讨论在平滑， 连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电 子技术； 6，PN 结反向偏置时， PN 结的内电场 增强 ；PN 具有 具有单向导电特性； 7，硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而转变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压 Vth 约为 0.5 伏； 8，二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成； 9，P 型半导体的多子为 空穴 ，N 型半导体的多子为 自由电子 ，本征半导体的载流子为 电子—空穴对 ； 10，因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 空穴（ P） 半导体和 电子 （ N） 半导体两大类； 11，二极管的最主要特性是 单向导电性 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电压 ； 12，在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V ； 13，频率响应是指在输入正弦信号的情形下， 输出随频率连续变化的稳态 响应 ； 15，N型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 ； 16，按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为 甲类 ，乙类 ， 甲乙类 三种基本类型； 17，在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是 耦合和旁路 电容，影响高频信号放大的是 结 电容； 18，在 NPN三极管组成的基本共射放大电路中，假如电路的其它参数不变，三极管的 β 增加，就 I BQ 增大 ，I CQ 增大 ， UCEQ 减小 ； 19，三极管的三个工作区域是 截止 ， 饱和 ， 放大 ；集成运算放大器是一种采纳 直接 耦合方式的放大电路； 20，某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压 Va = 1.2V ， V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是 硅管 管（材料）， NPN 型的三极管，该管的集电极是 a，b，c 中的 C ； 21，已知某两级放大电路中第一，其次级的对数增益分别为 60dB 和 20dB, 就该放大电路总的对数增益为 80 dB ，总的电压放大倍数为 10000 ； 22 ， 三极管 实现 放大作 用的外部条件是： 发 射结正偏， 集电结 反 精品word学习资料可编辑 名师归纳总结——欢迎下载 偏 ；某放大电路中的三极管，测得管脚电压 Va = -1V ，Vb =-3.2V, V c =- 3.9V, 这是 硅 管（硅，锗） ， NPN 型，集电极管脚是 a ； 23，三种不同耦合方式的放大电路分别为： 阻容（ RC）耦合 ， 直接耦合和_变压器耦合 _，其中 直接耦合 能够放大缓慢变化的信号； 24，在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 负载 ，而前级的输出电阻可视为后级的 信号源的内阻 ；多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带 要窄 ； 25，某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V，接入 12kΩ 的负载电阻后， 输出电压降为 3V，这说明放大电路的输出电阻为 4 k Ω ； 26，为了保证三极管工作在放大区，要求： ①发射结 正向 偏置，集电结 反向 偏置；②对于ＮＰＮ型三极管，应使 VBC ＜0 ； 27，放大器级间耦合方式主要有阻容（ RC）耦合，直接耦合和 变压器 耦合三大类； 28，在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大 作用，共射 组态有电流放大作用， 共射 组态有倒相作用； 共集 组态带负载才能强， 共集 组态向信号源索取的电流小， 共基 组态的频率响应好； 29，三极管放大电路的三种基本组态是 共集 ， 共基 ， 共射 ； 30，多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情形下有 直接耦合 ， 阻容耦合 ， 变压器耦合 ； 31，在单级共射放大电路中，假如输入为正弦波形，用示波器观看 VO 和 VI 的波形，就 VO 和 VI 的相位差为 180 0 ；当为共集电极电路时，就 VO 和 VI 的相位差为 0 ； 32，