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半导体器件;硅原子;硅晶格;电子与空穴;电流的形成;能带;不同材料;掺杂;受主掺杂:P型半导体;施主掺杂:N型半导体;电子空穴的复合;耗尽区;MOS晶体管;NMOS剖面图;关断;耗尽;反型;线性;饱和;NMOS I-V曲线;沟道长度调制效应;深亚微米的I-V曲线;速度饱和;速度饱和与沟道长度;IDS vs. VGS;速度饱和对电流的影响;I-V曲线对比;PMOS I-V曲线;MOS管的电容和电阻;RC回路;寄生电容;栅电容和覆盖电容;扩散电容(耗尽区电容);MOS电容;导通电阻-线性区;导通电阻-饱和区;NMOS 3D模型;MOS开关模型;开关模型;NMOS/PMOS符号;0.25um MOS (Bell实验室);CMOS;CMOS结构;双阱CMOS;制造工艺;变化;准备原材料-单晶硅;芯片制造流程;制造SiO2;平面光学图像刻蚀工艺;CMOS基本工艺流程;CMOS Process Walk-Through;CMOS Process Walk-Through;CMOS Process Walk-Through;金属层;封装;封装需求;Bonding技术;芯片-板级连接方式;封装类型;多芯片封装
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