组合可编程逻辑器.ppt

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2021-11-28 发布于广东
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;;二、PLD的发展态势;PROM;4.5.1 PLD的结构、表示方法;与门阵列;2. PLD的逻辑符号表示方法;(2)基本门电路的表示方式;三态输出缓冲器;(3) 编程连接技术;;连接;(4) 浮栅MOS管开关 ; 当浮栅上带有负电荷时，使得MOS管的开启电压变高，如果给控制栅加上VT1控制电压，MOS管仍处于截止状态。;5V;L=B?C;浮栅延长区与漏区N+之间的交叠处有一个厚度约为80A (埃)的薄绝缘层——遂道区。;结构特点: 1.闪速存储器存储单元MOS管的源极N+区大于漏极N+区，而SIMOS管的源极N+区和漏极N+区是对称的； 2. 浮栅到P型衬底间???氧化绝缘层比SIMOS管的更薄。;PLD中的三种与、或阵列;4.5.2 组合逻辑电路的 PLD 实现;AnBnCn;例2：试写出该电路的逻辑表达式。;复习思考题;本章小结(1);本章小结(2);本章小结(3)