光刻机分辨率.docx

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第一章引言 1.1光刻背景: 受功能增加和成本降低的要求所推动,包括微处理器、 NAND闪存与DRAM等高密度 存储器以及SoC (片上系统)和 ASSP (特殊应用标准产品)在内的集成电路不断以快速 的步伐微缩化。光刻则使具有成本优势的器件尺寸微缩成为可能。 目前,集成电路已经从60年代的每个芯片上仅几十个器件发展到现在的每个芯片上可 含约10亿个器件,其增长过程遵从一个我们所熟知的摩尔定律,即集成度每 3年提高4 倍。这一增长速度不仅导致了半导体市场在过去 30年中以平均每年约 15%的速度增长, 而且对现代经济、国防和社会也产生了巨大的影响。集成电路之所以能飞速发展,光刻技 术的支持起

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