模拟电子技术练习题.doc

《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1．在N型半导体中，是多半载流子，是少数载流子。 2．电路如图1-1所示，设二极管的导通电压UD＝0.7V，则图1-（1a）中UO＝V， 图1-1（b）中UO＝V。 （a）（b） 图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD1工作在 状态；VD2工作在 状态； 电流IO mA。 VD1 4．PN结拥有特性；稳压二极管的稳压区 +  VD23kΩIO 在其伏安特性曲线的 区内。 12V + - 6V- 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3 图1-2 对地的直流电位分别为U1=-5V，U2=-8V，U3=-5.2V，则与 该晶体管对应的电极是：管脚 1为 极，2为 极，3为 极，晶体管 为 型（PNP或NPN），所用材料为 （硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7．在由NPN管组成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是 存在 现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反”）；共 集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9．射极输出器拥有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入 负反应；为提高输入电阻，应引入 负 反应；当信号源的内阻较大时，为增强负反应的效果，应引入 负反应；由集成运 放组成线性放大电路时，应引入 反应（填“正反应”或“负反应”）。 第1页 11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a）所示的集成运放 工作于 区，图（b）所示的集成运下班作于 区。 R ∞ uI R1 ∞ - + A1+ + A2 + uI - + + uO R2 uO - - (a) 图1-3 (b) 二、单项选择题（每题 3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D1和D2的工作状态为（ ）。 A．D1 截止，D2导通 B．D1 导通，D2 截止 C．D1和D2均导通 D．D1和D2均截止 +12V 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别 为9V，2.5V，3.2V，则这三个极分别为（ ）。 D1 R 0V A．C，B，E B．C，E，B 4V D2 C．E，C，B D．B，E，C 图2-1 3．在图2-2中，VCC=12V，RC=3kΩ，β=50，UBEQ可 +V CC 忽略不计，若使UCEQ =6V ，则B 应为（ ）。 C I CQ R RBR A．360kΩ B．300kΩ I BQ VT C．300Ω D．400kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当 iB从20μA增大到30μA时， 图2-2 iC从2mA增大到4mA，那么它的 值约为（ ）。 A.50 B.200 C.20 D．100 5．射极输出器（）。 ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B．有电压放大作用，没有电流放大作用 C．既有电流放大作用，也有电压放大作用 6．某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（）。 A．串联电流负反应B．串联电压负反应 C．并联电流负反应D．并联电压负反应 第2页 7．图2-3中的RF引入的是（ ）。 UCC ．并联电流负反应 B．串联电压负反应  uI RC uO C．并联电压负反应 D．串联电流负反应  RRFRE 图2-3 8．在带有电容滤波器的单相半波整流电 路中，若电源变压器二次侧电压的有效值为U，则整流二极管所承受的最高反向电压为 （ ）。 A．U B．2U C．2 2U 9．在如图2-4所示的稳压电路中，已知UI 10V，UO 5V，IZ 10mA，RL 500， 则限流电阻R应为（ ）。 A．1000 B．500 C．250 D．200 D1 R + + + + IZ u -uO + UI u1 - DZ L UO + RL R u - D2 - - - 图2-4 图2-5 10．在图2-5所示的变压器二次绕组有中心抽头的单相全波整流电路中， u 202sintV，整流电压平均值UO为（ ）。 A.9V B.18V C.20V D.20 2V 11．在如图2-6所示的稳压电路中，已知 U=6V，则U O 为（ ）。 Z A．6V 1 W7815 2 B．15V + + 3 UICi Co UO C．21 + - UZDZ - - 图2-6 第3页 三、电路如图3所示，已知VCC＝12V，RB＝300kΩ，RC＝4kΩ，晶体管β＝40。 （1）画出直流通路，并估算静态工作点； （2）画出微变等效电路，并估算输入电阻Ri、输出电阻Ro和电压放大倍数Au。 VCC  +VCC RC RB1 VT Rs uI + RB2 RE CE us - 图4 图3