第1章常用半导体器件.pptVIP

如果在ui作用下， 基本不变，则集电极电流： 因此： (1-21) 表明：三极管工作在放大状态时，β和β相当接近，因此在近似分析中不再对它们加以区分。 通常情况下：取β为几十至一百多倍的管子为好， β过大，性能不够稳定， β过小，达不到放大效果。 第62页，共118页，编辑于2022年，星期六 相应地：将集电极动态电流ΔIC和发射极动态电流ΔIE之比 定义为共基交流电流放大系数，记作α，即 (1-22) 同理 (1-23) 根据α和β的定义以及三极管中三个电流的关系，可得： 所以α与β两个参数之间满足下列关系式： (1-24) 第63页，共118页，编辑于2022年，星期六 1.3.3 三极管的特性曲线 所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。 iB是输入电流，uBE是输入电压，加在B、E两电极之间。 iC是输出电流，uCE是输出电压，从C、E两电极取出。 输入特性曲线—— iB = f (uBE)? uCE=const 输出特性曲线—— iC = f (uCE)? iB=const 重点介绍发射极接法三极管的特性曲线，即: B表示输入电极，C表示输出电极，E表示公共电极。 第64页，共118页，编辑于2022年，星期六 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如下图所示。 共发射极接法的电压-电流关系 第65页，共118页，编辑于2022年，星期六 UCE=0V的曲线：相当发射结的正向特性曲线。 UCE≥1V时： UCB= UCE - UBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。 UCE再增加时：曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。 共射接法输入特性曲线 （1）共发射极接法的输入特性曲线 分区： ①死区 ②非线性区 ③线性区 第66页，共118页，编辑于2022年，星期六 （2）输出特性曲线 当UCE=0V时：因集电极无收集作用，iC=0。 当UCE稍增大时：发射结虽处于正向电压之下，但集电结反 偏电压很小，如： UCE 1 V UBE=0.7 V UCB= UCE- UBE= 0.7 V 集电区收集电子的能力很弱， iC主要由UCE决定。 共发射极接法输出特性曲线 是以iB为参变量的一族特性曲线。 第67页，共118页，编辑于2022年，星期六 当UCE增加到使集电结反偏 电压较大时，如： UCE ≥1 V UBE ≥0.7 V 运动到集电结的电子基本上都 可以被集电区收集，此后UCE 再增加，电流也没有明显的增 加，特性曲线进入与UCE轴基 本平行的区域。 (与输入特性曲线随UCE增大而 右移的原因是一致的) 。 共发射极接法输出特性曲线 第68页，共118页，编辑于2022年，星期六 输出特性曲线可以分为三个区域: 饱和区 —— iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE的数值较小，一般 uCE＜0.7 V(硅管)。 此时：发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 输出呈低阻态，相当于开关闭合。 截止区 —— iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时：发射结反偏，集电结反偏。 输出呈高阻态，ic=0。 放大区 —— iC平行于uCE轴的区域， 曲线基本平行等距。 此时：发射结正偏，集电结反偏， 受控恒流源 uCE＝uBE时，临界饱和状态 uCE＜uBE时，过饱和状态 第69页，共118页，编辑于2022年，星期六 1.3.4 三极管的主要参数 1． 电流放大系数 电流放大系数是表征三极管放大性能的参数。 1） 共射直流电流放大系数β 当忽略穿透电流ICEO时，β近似等于集电极电流与基极电流的直流量之比，即 2） 共射交流电流放大系数β  β定义为集电极电流与基极电流的变化量之比，即 第70页，共118页，编辑于2022年，星期六 3）