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STBCHIP 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
DESCRIPTION SCHEMATIC DIAGRAM
The JXP10N03G uses advanced trench
D
technology to provide excellent RDS(ON), low gate
charge and high density cell Design for ultra low
on-resistance. This device is suitable for use as
G
a load switch or in PWM applications.
GENERAL FEATURES
S
ID =10A,VDS=30V
RDS(ON)(Typ.)=27mΩ@VGS=4.5V
PIN ASSIGNMENT
RDS(ON)(Typ.)=18mΩ@VGS=10V
High power and current handing capability TO-252-2L
Lead free product is acquired (Top View)
Surface mount package
APPLICATION
PWM applications
Load switch
PACKAGE
TO-252-2L XX:Year Code; YY:Week Code.
ORDERING INFORMATION
Part Number Storage Temperature Package Marking Devices Per Reel
JXP10N03G -55°C to +150°C TO-252-2L 10N03/XXYY 3000
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T =25℃ unless otherwise noted)
A
Parameter Symbol Limit Unit
Drain-source voltage VDS 30 V
Gate-source voltage VGS ±20 V
T =25°C 10
A
Continuous drain current (T = 150 °C) a I
J D
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