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一种半导体结构及其形成方法,其中,所述形成方法包括:提供衬底,所述衬底包括第一区域和第二区域;在所述第一区域的所述衬底上形成场氧化层;在所述第一区域的所述衬底内形成漂移区;在所述第一区域的部分所述衬底和所述第二区域的部分所述衬底上形成栅极结构,且所述栅极结构覆盖部分所述漂移区和部分所述场氧化层表面;在所述栅极结构露出的所述场氧化层下方的所述漂移区内形成离子掺杂区,所述离子掺杂区的掺杂离子类型与所述漂移区的掺杂离子类型相反。所述形成方法形成的半导体结构可以在降低导通电阻的同时保持有较高的击穿电压。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113078217 A
(43)申请公布日
2021.07.06
(21)申请号 20201
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