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半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中,一种电子装置包括:第一衬底,其包括第一导电结构;第二衬底,其包括第二导电结构,其中所述第一衬底在所述第二衬底之上;第一电子组件,其在所述第一衬底与所述第二衬底之间;竖直互连件,其在所述第一衬底与所述第二衬底之间,其中所述竖直互连件与所述第一导电结构及所述第二导电结构耦合;以及囊封剂,其在所述第一衬底与所述第二衬底之间且覆盖所述竖直互连件。所述第一电子组件上的竖直端口通过所述第一衬底的孔口暴露。本文中亦公开其它实例及相关方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114388476 A
(43)申请公布日 2022.04.22
(21)申请号 202111184791.4
(22)申请日 2021.10.12
(30)优先权数据
17/073,02
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