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AP6N04SI
40VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP6N04SIusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
司
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
公
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
限
orinotherSwitchingapplication.
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GeneralFeatures技司
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RDS(ON)40mΩ@VGS=10V(Type:28mΩ)
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