- 1、本文档共11页,其中可免费阅读10页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及一种谐振腔的制备方法,包括步骤:S1,选择未经刻蚀的有源层,将其划分为第一区域和第二区域,第二区域远离第一区域的一端为出光端,S2,对第一区域进行下沉刻蚀,并对第二区域进行形貌刻蚀,得到具有若干凸出部的第一阶段的谐振腔,S3,在第一阶段的谐振腔上掩埋外延生长有源层材料,加厚有源层,S4,生长完毕后,再次对第二区域进行形貌刻蚀,得到具有若干凸出部的第二阶段的谐振腔,第二阶段的谐振腔的各凸出部的尖端的连线和第二阶段的谐振腔的各凸出部的尖端的连线平行。还提供一种谐振腔和一种半导体激光器芯片。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712825A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311603103.2
(22)申请日2023.11.28
(71)申请人武汉云岭光电股份有限公司
地址
文档评论(0)