场效应管的识别.ppt

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2024-04-07 发布于四川
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*常用电子元器件-场效应管识别*场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.

特点:

具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.

**结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管MOS场效应管有两种:结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其他电极完全绝缘而得名。一、场效应管的种类*一、场效应管的种类按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。绝缘栅型场效应管与结型场效应管的不同之处在于它们的导电方式不同。若按导电方式来划分，绝缘栅型场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型。*N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)场效应晶体管的种类*N基底：N型半导体PP两边是P区G(栅极)S源极D漏极结构1、结型场效应管:导电沟道二、场效应管的原理*NPPG(栅极)S源极D漏极N沟道结型场效应管DGSDGS*PNNG(栅极)S源极D漏极P沟道结型场效应管DGSDGS*2、绝缘栅场效应管:一、结构和电路符号PNNGSDP型基底两个N区SiO2绝缘层导电沟道金属铝GSDN沟道增强型*N沟道耗尽型PNNGSD预埋了导电沟道GSD*NPPGSDGSDP沟道增强型*P沟道耗尽型NPPGSDGSD预埋了导电沟道-刘宇-**