GBT-半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数（ZDD）法.pdf

ICS77.040

CCSH21

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX—XXXX

半导体晶片近边缘几何形态评价第1部

分：高度径向二阶导数（ZDD）法

Practicefordeterminingsemiconductorwafernear-edgegeometry—Part1:Measured

heightdataarrayusingacurvaturemetricZDD

（）

（送审稿）

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

GB/TXXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化

技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。

本文件起草单位：山东有研半导体材料有限公司，浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、金瑞泓

微电子（嘉兴）有限公司，中环领先半导体材料有限公司。

本文件主要起草人：王玥、朱晓彤、孙燕、宁永铎、徐新华、陈海婷、张海英、徐国科、李春阳、

杨雷。

I

GB/TXXXXX—XXXX

半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数

（ZDD）法

1范围

本文件描述了高度径向二阶导数（ZDD）方法评价半导体晶片的近边缘几何形态。

本文件适用于大直径硅抛光片、外延片、SOI片及其他带有表面层的晶圆片，也可用于其他半导体

材料晶圆片近边缘几何形态的评价。

注：目前该方法主要用于直径300mm的硅片。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T14264半导体材料术语

GB/T25915.1-2021洁净室及相关受控环境第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度等级。

GB/T34479确定晶片坐标系规范

YS/T986硅片字母数字标志规范

3术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

3.1

近边缘曲率near-edgecurvature；ZDD（radialdoublederivativeofz（height））

使用晶片高度的阵列数据获得垂直于硅片中位面一系列Z坐标的径向二阶导数所描述的参数。

4方法原理

将晶片按照不同的半径和圆心角划分为若干扇形区域，选取每个扇形区域中高度数据阵列，逐一计

算沿半径方向的二阶导数，从而定量评价半导体晶片的近边缘几何形态。

注：数据阵列可以来源于单一表面（正表面或背表面）的高度，也可以是厚度。

5干扰因素

5.1测试设备的定位精度会影响测试位置，从而影响采样点的位置，对测试结果有影响。

5.2用于计算度量的高度数据阵列中的数据不足，空间分辨率不够、定位错误、噪声等，可能导致测

试结果错误。

1